半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610088637.6

申请日：

2006-04-28

公开(公告)号：

CN1870233A

公开(公告)日：

2006-11-29

发明(设计)人：

矶部敦生村上智史高野圭惠山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王庆海;梁永

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-12	授权	授权
2008-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-04-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20060428 授权公告日:20100512 终止日期:20180428
2006-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

中西贤太郎 ;

柁谷敦宏 .

中国专利 :CN1627534A ,2005-06-15

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

手塚祐朗 ;

鸟海聪志 ;

古野诚 ;

神保安弘 ;

大力浩二 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN101369541B ,2009-02-18

[3]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103189990A ,2013-07-03

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

矶部敦生 ;

村上智史 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN1855399A ,2006-11-01

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

入泽寿史 ;

沼田敏典 ;

高木信一 ;

杉山直治 .

中国专利 :CN100517759C ,2007-08-22

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

八重樫利武 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN100448010C ,2006-08-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

挂端哲弥 ;

田中哲弘 ;

浅见良信 .

中国专利 :CN102332471A ,2012-01-25

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 ;

冈本隆幸 .

中国专利 :CN100341140C ,2003-09-03

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