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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN03106162.1
申请日：
2003-02-19
公开(公告)号：
CN100341140C
公开(公告)日：
2003-09-03
发明(设计)人：
长谷川尚
小山内润
冈本隆幸
申请人：
申请人地址：
日本千叶县千叶市
IPC主分类号：
H01L2184
IPC分类号：
H01L21336
H01L29786
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
吴立明;梁永
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2003-09-03 | 公开 | 公开 |
| 2016-03-30 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101730271002 IPC(主分类):H01L 21/84 专利号:ZL031061621 登记生效日:20160311 变更事项:专利权人 变更前权利人:精工电子有限公司 变更后权利人:精工半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:日本千叶县千叶市 变更后权利人:日本千叶县 |
| 2007-10-03 | 授权 | 授权 |
| 2018-04-27 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/84 变更事项:专利权人 变更前:精工半导体有限公司 变更后:艾普凌科有限公司 变更事项:地址 变更前:日本千叶县 变更后:日本千叶县 |
| 2021-01-29 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/84 申请日:20030219 授权公告日:20071003 终止日期:20200219 |
| 2005-04-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |