半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810304765.2

申请日：

2018-04-08

公开(公告)号：

CN108565259B

公开(公告)日：

2018-09-21

发明(设计)人：

姚飞王世军殷登平童亮

申请人：

申请人地址：

210042 江苏省南京市玄武区玄武大道699-27号7幢302室

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2706 H01L2184

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-01	授权	授权
2020-03-24	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/02 登记生效日:20200305 变更事项:申请人变更前权利人:矽力杰半导体技术（杭州）有限公司变更后权利人:南京矽力杰半导体技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号变更后权利人:210042 江苏省南京市玄武区玄武大道699-27号7幢302室
2018-09-21	公开	公开
2018-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20180408
2019-07-23	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/02 变更事项:申请人变更前:矽力杰半导体技术（杭州）有限公司变更后:矽力杰半导体技术（杭州）有限公司变更事项:地址变更前:310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室变更后:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
2020-05-29	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/02 变更事项:申请人变更前:南京矽力杰半导体技术有限公司变更后:南京矽力微电子技术有限公司变更事项:地址变更前:210042 江苏省南京市玄武区玄武大道699-27号7幢302室变更后:210042 江苏省南京市玄武区玄武大道699-27号7幢302室

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵豹 ;

殷登平 ;

姚飞 ;

童亮 .

中国专利 :CN109346468A ,2019-02-15

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 ;

冈本隆幸 .

中国专利 :CN100341140C ,2003-09-03

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 .

中国专利 :CN102034865A ,2011-04-27

[4]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

袋武人 ;

冲原将生 .

中国专利 :CN1945843A ,2007-04-11

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

唐粕人 .

中国专利 :CN109904120B ,2019-06-18

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲁林芝 ;

李乐 .

中国专利 :CN113421869B ,2021-09-21

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋叶俊彦 ;

木村稔 ;

小田切政雄 .

中国专利 :CN101789392B ,2010-07-28

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

秋叶俊彦 ;

木村稔 ;

小田切政雄 .

中国专利 :CN103871993A ,2014-06-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112864151A ,2021-05-28

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

李理 .

中国专利 :CN111584480A ,2020-08-25

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