半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510108757.3

申请日：

2005-09-30

公开(公告)号：

CN100468733C

公开(公告)日：

2006-04-26

发明(设计)人：

稻叶聪

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2182

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

胡建新

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-04-26	公开	公开
2009-03-11	授权	授权
2015-11-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101633313914 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL2005101087573 申请日:20050930 授权公告日:20090311 终止日期:20140930

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN109904231B ,2019-06-18

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

张严波 ;

殷华湘 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN105742352A ,2016-07-06

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

殷华湘 ;

张永奎 ;

赵治国 ;

陆智勇 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN105489651B ,2016-04-13

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN110047908B ,2019-07-23

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

殷华湘 ;

张永奎 ;

赵治国 ;

陆智勇 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN105489652B ,2016-04-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102117828A ,2011-07-06

[7]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

李承翰 .

中国专利 :CN115132661A ,2022-09-30

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

八重樫利武 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN100448010C ,2006-08-16

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

川嶋祥之 ;

伊藤文俊 ;

坂井健志 ;

石井泰之 ;

金丸恭弘 ;

桥本孝司 ;

水野真 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN1534768A ,2004-10-06

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