半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710502807.9

申请日：

2017-06-27

公开(公告)号：

CN107546232A

公开(公告)日：

2018-01-05

发明(设计)人：

新川田裕树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2184 H01L21762

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-05	公开	公开
2019-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20170627

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

石垣隆士 ;

长部太郎 ;

小林孝 ;

今井丰 ;

清水雅裕 .

中国专利 :CN101000924A ,2007-07-18

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉田哲也 .

中国专利 :CN109585565A ,2019-04-05

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

金永奭 .

中国专利 :CN101409307A ,2009-04-15

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敬 ;

梶山健 .

中国专利 :CN1357924A ,2002-07-10

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲸井裕 .

中国专利 :CN100595924C ,2007-06-13

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

小野升太郎 ;

斋藤涉 ;

薮崎宗久 ;

谷内俊治 ;

渡边美穗 .

中国专利 :CN102194883A ,2011-09-21

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

筱原正昭 .

中国专利 :CN107039454A ,2017-08-11

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