半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610126249.2

申请日：

2000-08-14

公开(公告)号：

CN1953148A

公开(公告)日：

2007-04-25

发明(设计)人：

山崎舜平大谷久田中幸一郎笠原健司河崎律子

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

胡强

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20000814 授权公告日:20100602 终止日期:20180814
2010-06-02	授权	授权
2007-04-25	公开	公开
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

田中幸一郎 ;

笠原健司 ;

河崎律子 .

中国专利 :CN1280870C ,2004-07-28

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

下村明久 .

中国专利 :CN1925109B ,2007-03-07

[3]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

阿部由之 ;

宫崎忠一 ;

武藤英生 ;

东野朋子 .

中国专利 :CN101297394A ,2008-10-29

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

木山精一 ;

今井秀记 .

中国专利 :CN85106463A ,1987-03-25

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

浜田崇 ;

荒井康行 .

中国专利 :CN1286156C ,2002-10-09

[6]

制造半导体器件的方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN100347809C ,2003-04-02

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

田中幸一郎 ;

笠原健司 ;

河崎律子 .

中国专利 :CN1213464C ,2002-08-14

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

张宏勇 ;

石原浩朗 .

中国专利 :CN1414604A ,2003-04-30

[9]

制造半导体器件的方法 [P].

浜田崇 ;

荒井康行 .

中国专利 :CN1917220A ,2007-02-21

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

下村明久 ;

浜田崇 .

中国专利 :CN1591778A ,2005-03-09

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