制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410068570.0

申请日：

2004-08-27

公开(公告)号：

CN1591778A

公开(公告)日：

2005-03-09

发明(设计)人：

下村明久浜田崇

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2120 H01L21324 H01L21336 H01L218234

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

火惠颖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-16	授权	授权
2019-08-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20040827 授权公告日:20091216 终止日期:20180827
2006-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-03-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

三津木亨 ;

笠原健司 .

中国专利 :CN1396626A ,2003-02-12

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

木山精一 ;

今井秀记 .

中国专利 :CN85106463A ,1987-03-25

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

田中幸一郎 ;

笠原健司 ;

河崎律子 .

中国专利 :CN1280870C ,2004-07-28

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大谷久 ;

田中幸一郎 ;

笠原健司 ;

河崎律子 .

中国专利 :CN1953148A ,2007-04-25

[5]

晶体半导体薄膜,半导体器件及其制造方法 [P].

森若智昭 .

中国专利 :CN101043026A ,2007-09-26

[6]

薄膜半导体器件及其制造方法 [P].

林宏 ;

川岛孝启 ;

河内玄士朗 .

中国专利 :CN103189990A ,2013-07-03

[7]

薄膜半导体衬底及制造方法、薄膜半导体器件及制造方法 [P].

平松雅人 ;

木村嘉伸 ;

小川裕之 ;

十文字正之 ;

松村正清 .

中国专利 :CN100463224C ,2005-02-09

[8]

半导体膜、半导体膜的制造方法、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

牧田直树 ;

岩井道记 ;

森野慎也 ;

堤隆之 .

中国专利 :CN100345309C ,2004-05-26

[9]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

阿部由之 ;

宫崎忠一 ;

武藤英生 ;

东野朋子 .

中国专利 :CN101297394A ,2008-10-29

[10]

制备薄膜半导体器件的方法 [P].

町田晓夫 ;

赤尾裕隆 ;

龟井隆广 ;

中尾勇 .

中国专利 :CN100380579C ,2006-05-10

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