用于制造碳纳米结构体的方法和装置、以及碳纳米结构体组件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310165948.8
申请日
2013-05-08
公开(公告)号
CN103387218B
公开(公告)日
2013-11-13
发明(设计)人
日方威 大久保总一郎 宇都宫里佐 东勇吾
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
C01B3215
IPC分类号
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
丁业平;常海涛
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
碳纳米结构体、以及用于制造碳纳米结构体的方法及装置 [P]. 
日方威 ;
大久保总一郎 ;
宇都宫里佐 ;
东勇吾 ;
藤田淳一 ;
村上胜久 .
中国专利 :CN105073635A ,2015-11-18
[2]
碳纳米结构体制造方法、碳纳米结构体以及碳纳米结构体制造装置 [P]. 
日方威 ;
大久保总一郎 ;
中井龙资 ;
藤田淳一 .
中国专利 :CN111587220A ,2020-08-25
[3]
制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置 [P]. 
日方威 ;
大久保总一郎 ;
中井龙资 ;
谷冈大辅 .
中国专利 :CN109328177A ,2019-02-12
[4]
制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置 [P]. 
日方威 ;
大久保总一郎 ;
中井龙资 ;
谷冈大辅 .
中国专利 :CN108349729A ,2018-07-31
[5]
碳纳米结构体、电容器、加工碳纳米结构体的方法、以及制造碳纳米结构体的方法 [P]. 
藤田淳一 ;
日方威 ;
大久保总一郎 ;
宇都宫里佐 ;
松叶晃明 .
中国专利 :CN103415903A ,2013-11-27
[6]
碳纳米结构体聚集物的制造方法及碳纳米结构体聚集物 [P]. 
涉谷明庆 .
中国专利 :CN108883939A ,2018-11-23
[7]
碳纳米结构体生长用CVD装置及碳纳米结构体的制造方法 [P]. 
中野美尚 ;
野末龙弘 ;
福田义朗 ;
塚原尚希 ;
村上裕彦 .
中国专利 :CN109384216A ,2019-02-26
[8]
用于制造碳纳米结构的装置和用于制造碳纳米结构的方法 [P]. 
日方威 ;
大久保总一郎 .
中国专利 :CN103003196A ,2013-03-27
[9]
碳纳米结构体、负载金属的碳纳米结构体、锂离子二次电池、碳纳米结构体的制造方法和负载金属的碳纳米结构体的制造方法 [P]. 
西信之 ;
安达纪和 ;
大场保幸 ;
山田学 ;
加美谦一郎 ;
水内和彦 .
中国专利 :CN103097287A ,2013-05-08
[10]
碳纳米结构体的制造方法及碳纳米管 [P]. 
涉谷明庆 .
中国专利 :CN105531226A ,2016-04-27