碳纳米结构体、以及用于制造碳纳米结构体的方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480010925.2

申请日：

2014-01-28

公开(公告)号：

CN105073635A

公开(公告)日：

2015-11-18

发明(设计)人：

日方威大久保总一郎宇都宫里佐东勇吾藤田淳一村上胜久

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C01B3102

IPC分类号：

B01J23745

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

常海涛;高钊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101637758735 IPC(主分类):C01B 31/02 专利申请号:2014800109252 申请日:20140128
2019-05-21	授权	授权
2015-11-18	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制造碳纳米结构体的方法和装置、以及碳纳米结构体组件 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 ;

宇都宫里佐 ;

东勇吾 .

中国专利 :CN103387218B ,2013-11-13

[2]

碳纳米结构体制造方法、碳纳米结构体以及碳纳米结构体制造装置 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 ;

中井龙资 ;

藤田淳一 .

中国专利 :CN111587220A ,2020-08-25

[3]

碳纳米结构体聚集物的制造方法及碳纳米结构体聚集物 [P].

涉谷明庆 .

中国专利 :CN108883939A ,2018-11-23

[4]

碳纳米结构体生长用CVD装置及碳纳米结构体的制造方法 [P].

中野美尚 ;

野末龙弘 ;

福田义朗 ;

塚原尚希 ;

村上裕彦 .

中国专利 :CN109384216A ,2019-02-26

[5]

碳纳米结构体、电容器、加工碳纳米结构体的方法、以及制造碳纳米结构体的方法 [P].

藤田淳一 ;

日方威 ;

大久保总一郎 ;

宇都宫里佐 ;

松叶晃明 .

中国专利 :CN103415903A ,2013-11-27

[6]

制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 ;

中井龙资 ;

谷冈大辅 .

中国专利 :CN109328177A ,2019-02-12

[7]

制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 ;

中井龙资 ;

谷冈大辅 .

中国专利 :CN108349729A ,2018-07-31

[8]

碳纳米结构体的制造方法及碳纳米管 [P].

涉谷明庆 .

中国专利 :CN105531226A ,2016-04-27

[9]

用于制造碳纳米结构的装置和用于制造碳纳米结构的方法 [P].

日方威 ;

大久保总一郎 .

中国专利 :CN103003196A ,2013-03-27

[10]

碳纳米结构体的高效率合成方法、装置及碳纳米结构体 [P].

末金皇 ;

野坂俊纪 ;

中山喜万 ;

潘路军 ;

长坂岳志 ;

坂井彻 ;

土屋宏之 ;

后藤俊树 ;

李旭 .

中国专利 :CN1764598A ,2006-04-26

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