用于室温的多孔硅基氧化铜复合结构气敏元件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610041231.6

申请日：

2016-01-21

公开(公告)号：

CN105675650A

公开(公告)日：

2016-06-15

发明(设计)人：

胡明刘相承王毅斐王自帅袁琳

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

G01N2700

IPC分类号：

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

宋洁瑾

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N 27/00 申请公布日:20160615
2016-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669705009 IPC(主分类):G01N 27/00 专利申请号:2016100412316 申请日:20160121
2016-06-15	公开	公开

共 50 条

[1]

用于室温的多孔硅基氧化钨复合结构气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

魏玉龙 ;

袁琳 ;

张玮祎 ;

王登峰 .

中国专利 :CN104634825A ,2015-05-20

[2]

用于室温的多孔硅基氧化钨纳米复合结构气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

李明达 ;

贾丁立 ;

马双云 ;

曾鹏 .

中国专利 :CN103063706A ,2013-04-24

[3]

铜掺杂多孔硅基氧化钨室温气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

闫文君 ;

马双云 .

中国专利 :CN103389334A ,2013-11-13

[4]

多孔硅基氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器的制备方法 [P].

胡明 ;

魏玉龙 ;

闫文君 ;

王登峰 ;

袁琳 .

中国专利 :CN104634824A ,2015-05-20

[5]

多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

曾鹏 ;

李明达 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103245696A ,2013-08-14

[6]

多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件的制备方法 [P].

梁继然 ;

张颖 ;

吴文豪 .

中国专利 :CN114441599A ,2022-05-06

[7]

纳米多孔氧化铜/氧化铜纳米线复合结构及其制备方法 [P].

杨卿 ;

楚思清 .

中国专利 :CN107986316A ,2018-05-04

[8]

用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

崔珍珍 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103630572A ,2014-03-12

[9]

一种室温检测氮氧化物气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103245699A ,2013-08-14

[10]

用于室温的超快探测氮氧化物气体的气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

李明达 ;

马双云 ;

闫文君 ;

曾鹏 .

中国专利 :CN103278537A ,2013-09-04

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