用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310498459.4

申请日：

2013-10-21

公开(公告)号：

CN103630572A

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

胡明马双云崔珍珍李明达曾鹏闫文君

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

G01N2700

IPC分类号：

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

张宏祥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	公开	公开
2014-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581313929 IPC(主分类):G01N 27/00 专利申请号:2013104984594 申请日:20131021
2016-04-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731028551 IPC(主分类):G01N 27/00 专利申请号:2013104984594 申请公布日:20140312

共 50 条

[1]

一种低温制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

崔珍珍 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

武雅乔 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103626117A ,2014-03-12

[2]

一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法 [P].

胡明 ;

曾鹏 ;

马双云 ;

闫文君 ;

李明达 .

中国专利 :CN103046021A ,2013-04-17

[3]

基于硅基多孔硅/氧化钨纳米线复合结构材料的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

崔珍珍 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

武雅乔 .

中国专利 :CN103526157A ,2014-01-22

[4]

氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法 [P].

胡明 ;

秦岳 ;

周立伟 ;

强晓永 ;

赵博硕 .

中国专利 :CN108490038A ,2018-09-04

[5]

多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

曾鹏 ;

李明达 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103245696A ,2013-08-14

[6]

多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏材料的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103242060A ,2013-08-14

[7]

用于室温的多孔硅基氧化钨纳米复合结构气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

李明达 ;

贾丁立 ;

马双云 ;

曾鹏 .

中国专利 :CN103063706A ,2013-04-24

[8]

基于硅-氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用 [P].

秦玉香 ;

王泽峰 ;

刘雕 ;

崔震 .

中国专利 :CN108572196A ,2018-09-25

[9]

一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构的制备方法 [P].

胡明 ;

魏玉龙 ;

闫文君 ;

马文锋 ;

张玮祎 .

中国专利 :CN104655802A ,2015-05-27

[10]

用于室温的多孔硅基氧化钨复合结构气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

魏玉龙 ;

袁琳 ;

张玮祎 ;

王登峰 .

中国专利 :CN104634825A ,2015-05-20

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