基于硅基多孔硅/氧化钨纳米线复合结构材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310497569.9

申请日：

2013-10-21

公开(公告)号：

CN103526157A

公开(公告)日：

2014-01-22

发明(设计)人：

胡明马双云崔珍珍李明达曾鹏武雅乔

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

C23C1402

IPC分类号：

C23C1408 C23C1424 B82Y4000 B82Y3000

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

张宏祥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-22	公开	公开
2016-03-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729173129 IPC(主分类):C23C 14/02 专利申请号:2013104975699 申请公布日:20140122
2014-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101573735696 IPC(主分类):C23C 14/02 专利申请号:2013104975699 申请日:20131021

共 50 条

[1]

一种低温制备氧化钨纳米线/多孔硅复合结构材料的方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

崔珍珍 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

武雅乔 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103626117A ,2014-03-12

[2]

用于气敏材料的多孔硅/氧化钨纳米线复合结构的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

崔珍珍 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103630572A ,2014-03-12

[3]

一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构气敏材料的制备方法 [P].

胡明 ;

曾鹏 ;

马双云 ;

闫文君 ;

李明达 .

中国专利 :CN103046021A ,2013-04-17

[4]

一种多孔硅基氧化钨纳米线复合结构的制备方法 [P].

胡明 ;

魏玉龙 ;

闫文君 ;

马文锋 ;

张玮祎 .

中国专利 :CN104655802A ,2015-05-27

[5]

氧化钨纳米线/多孔硅复合结构气敏传感器的制备方法 [P].

胡明 ;

秦岳 ;

周立伟 ;

强晓永 ;

赵博硕 .

中国专利 :CN108490038A ,2018-09-04

[6]

基于硅-氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用 [P].

秦玉香 ;

王泽峰 ;

刘雕 ;

崔震 .

中国专利 :CN108572196A ,2018-09-25

[7]

多孔硅基一维氧化钨纳米线气敏元件的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

曾鹏 ;

李明达 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103245696A ,2013-08-14

[8]

一种多孔硅基多维氧化钨复合结构的制备方法 [P].

胡明 ;

魏玉龙 ;

张玮祎 ;

马文锋 ;

王傲尘 .

中国专利 :CN104634935A ,2015-05-20

[9]

多孔硅与氧化钨纳米棒复合结构气敏材料的制备方法 [P].

胡明 ;

马双云 ;

李明达 ;

曾鹏 ;

闫文君 .

中国专利 :CN103242060A ,2013-08-14

[10]

网状氧化钨纳米线修饰的硅纳米线异质多级结构及其制备方法和应用 [P].

秦玉香 ;

王泽峰 ;

赵黎明 ;

王立萍 .

中国专利 :CN109324088A ,2019-02-12

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