氢氧化铟粉末的制造方法和氧化铟粉末的制造方法、以及溅射靶材

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480030765.8

申请日：

2014-05-23

公开(公告)号：

CN105264119B

公开(公告)日：

2016-01-20

发明(设计)人：

菅本宪明木部龙夫加茂哲郎岩佐刚川上哲史高田功水沼昌平

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C25B100

IPC分类号：

C01G1500 C04B3500 C23C1434 C25B1104

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101646878592 IPC(主分类):C25B 1/00 专利申请号:2014800307658 申请日:20140523
2017-07-04	授权	授权
2016-01-20	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化铟-氧化锡粉末和使用该粉末的溅射靶以及氧化铟-氧化锡粉末的制造方法 [P].

高桥诚一郎 ;

渡边弘 .

中国专利 :CN1891663B ,2007-01-10

[2]

氢氧化铟的制造方法 [P].

新藤裕一朗 ;

竹本幸一 ;

古仲充之 .

中国专利 :CN105839130B ,2016-08-10

[3]

氢氧化铟粉的制造方法及阴极 [P].

岩佐刚 .

中国专利 :CN105683416A ,2016-06-15

[4]

氧化铟/氧化锡溅射靶材及其制造方法 [P].

张树高 ;

黄伯云 ;

吴义成 ;

方勋华 ;

黄栋生 ;

陈明飞 ;

张波 ;

李世伟 .

中国专利 :CN1218843A ,1999-06-09

[5]

氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的电解制造装置以及制造方法 [P].

新藤裕一朗 ;

竹本幸一 ;

古仲充之 .

中国专利 :CN105926022B ,2016-09-07

[6]

氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的制造方法 [P].

新藤裕一朗 ;

竹本幸一 ;

古仲充之 .

中国专利 :CN103857830A ,2014-06-11

[7]

氢氧化铟的制备方法 [P].

钟小华 ;

童培云 ;

朱刘 .

中国专利 :CN108793229A ,2018-11-13

[8]

氢氧化铟粉和氧化铟粉 [P].

菅本宪明 ;

木部龙夫 ;

川上哲史 ;

岩佐刚 ;

加茂哲郎 ;

水沼昌平 .

中国专利 :CN105683089B ,2016-06-15

[9]

金属氢氧化物的制造方法及ITO溅射靶的制造方法 [P].

藤丸笃 ;

三村寿文 ;

门胁丰 ;

虫明克彦 .

中国专利 :CN104334771A ,2015-02-04

[10]

制造高密度氧化锡铟(ITO)溅射靶 [P].

D·巴鲁克 .

中国专利 :CN103221572A ,2013-07-24

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