氢氧化铟的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810957120.9
申请日
2018-08-22
公开(公告)号
CN108793229A
公开(公告)日
2018-11-13
发明(设计)人
钟小华 童培云 朱刘
申请人
申请人地址
511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号清远先导材料有限公司D车间
IPC主分类号
C01G1500
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
氢氧化铟的制造方法 [P]. 
新藤裕一朗 ;
竹本幸一 ;
古仲充之 .
中国专利 :CN105839130B ,2016-08-10
[2]
一种电池级氢氧化铟和氧化铟的制备方法 [P]. 
刘一宁 ;
刘朗明 ;
窦传龙 ;
林文军 ;
王全 ;
廖贻鹏 .
中国专利 :CN102092781A ,2011-06-15
[3]
一种纳米氢氧化铟的制备方法 [P]. 
邵学亮 ;
王继民 ;
朱刘 .
中国专利 :CN111763951A ,2020-10-13
[4]
一种纳米级氢氧化铟的制备方法 [P]. 
凤吾生 ;
朱刘 ;
何坤鹏 ;
张莉兰 .
中国专利 :CN110156070B ,2019-08-23
[5]
氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的制造方法 [P]. 
新藤裕一朗 ;
竹本幸一 ;
古仲充之 .
中国专利 :CN103857830A ,2014-06-11
[6]
利用ITO废料制备氢氧化铟的方法 [P]. 
陈辉 ;
殷亮 ;
朱刘 .
中国专利 :CN109504858A ,2019-03-22
[7]
氢氧化铟粉和氧化铟粉 [P]. 
菅本宪明 ;
木部龙夫 ;
川上哲史 ;
岩佐刚 ;
加茂哲郎 ;
水沼昌平 .
中国专利 :CN105683089B ,2016-06-15
[8]
一种氢氧化铟/氧化铟中空微球的制备方法 [P]. 
沈明 ;
邵美玲 ;
周慧 ;
陈吴侠 .
中国专利 :CN105948102A ,2016-09-21
[9]
一种立方氢氧化铟薄膜及其制备方法 [P]. 
于乃森 .
中国专利 :CN104108746A ,2014-10-22
[10]
一种氢氧化铟的洗涤工艺 [P]. 
张莉兰 ;
徐蒙 ;
钟小华 ;
高建成 ;
凤吾生 .
中国专利 :CN115321585A ,2022-11-11