一种纳米级氢氧化铟的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910480810.4

申请日：

2019-06-04

公开(公告)号：

CN110156070B

公开(公告)日：

2019-08-23

发明(设计)人：

凤吾生朱刘何坤鹏张莉兰

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市新站区新站工业物流园内A组团E区宿舍楼15幢

IPC主分类号：

C01G1500

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

豆贝贝

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20190604
2021-07-30	授权	授权
2019-08-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种纳米级氢氧化铟及其制备方法 [P].

王权 ;

朱刘 ;

邵学亮 ;

曾嘉豪 ;

李永鹏 .

中国专利 :CN112645380A ,2021-04-13

[2]

氢氧化铟的制备方法 [P].

钟小华 ;

童培云 ;

朱刘 .

中国专利 :CN108793229A ,2018-11-13

[3]

一种纳米氢氧化铟的制备方法 [P].

邵学亮 ;

王继民 ;

朱刘 .

中国专利 :CN111763951A ,2020-10-13

[4]

一种电池级氢氧化铟和氧化铟的制备方法 [P].

刘一宁 ;

刘朗明 ;

窦传龙 ;

林文军 ;

王全 ;

廖贻鹏 .

中国专利 :CN102092781A ,2011-06-15

[5]

一种纳米级α－氢氧化镍及其制备方法 [P].

杜晓华 ;

姜长印 ;

万春荣 ;

陈克勤 ;

李小宏 ;

武永存 .

中国专利 :CN1322677A ,2001-11-21

[6]

一种高纯纳米级氢氧化钴的制备方法 [P].

姚瑞竹 ;

张旭 ;

付春平 ;

黎永忠 ;

赵蜀南 .

中国专利 :CN101955234B ,2011-01-26

[7]

一种电池级氢氧化铟及其制备方法与应用 [P].

张波 ;

王权 ;

朱刘 ;

童培云 ;

何坤鹏 .

中国专利 :CN113277548A ,2021-08-20

[8]

一种氢氧化铟纳米块的合成方法 [P].

曹化强 ;

郑禾 ;

刘开宇 .

中国专利 :CN101654278A ,2010-02-24

[9]

一种铜掺杂氢氧化铟纳米材料的制备方法及应用 [P].

刘喜哲 ;

刘坤明 ;

杨清云 ;

孔令玉 .

中国专利 :CN120288820A ,2025-07-11

[10]

一种氢氧化铟/氧化铟中空微球的制备方法 [P].

沈明 ;

邵美玲 ;

周慧 ;

陈吴侠 .

中国专利 :CN105948102A ,2016-09-21

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