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一种电池级氢氧化铟及其制备方法与应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110557611.6
申请日
:
2021-05-21
公开(公告)号
:
CN113277548A
公开(公告)日
:
2021-08-20
发明(设计)人
:
张波
王权
朱刘
童培云
何坤鹏
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市新站区龙子湖路与通淮南路交口西北角
IPC主分类号
:
C01G1500
IPC分类号
:
H01M1024
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
颜希文;朱燕华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-09-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 15/00 申请日:20210521
2021-08-20
公开
公开
共 50 条
[1]
一种电池级氢氧化铟和氧化铟的制备方法
[P].
刘一宁
论文数:
0
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0
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刘一宁
;
刘朗明
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刘朗明
;
窦传龙
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窦传龙
;
林文军
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林文军
;
王全
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王全
;
廖贻鹏
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廖贻鹏
.
中国专利
:CN102092781A
,2011-06-15
[2]
一种纳米级氢氧化铟及其制备方法
[P].
王权
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王权
;
朱刘
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朱刘
;
邵学亮
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邵学亮
;
曾嘉豪
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曾嘉豪
;
李永鹏
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李永鹏
.
中国专利
:CN112645380A
,2021-04-13
[3]
一种氢氧化铟粉体及其制备方法和应用
[P].
王权
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王权
;
朱刘
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朱刘
;
邵学亮
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邵学亮
;
曾嘉豪
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曾嘉豪
;
李永鹏
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李永鹏
.
中国专利
:CN112723407B
,2021-04-30
[4]
氢氧化铟的制备方法
[P].
钟小华
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钟小华
;
童培云
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童培云
;
朱刘
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朱刘
.
中国专利
:CN108793229A
,2018-11-13
[5]
一种纳米级氢氧化铟的制备方法
[P].
凤吾生
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凤吾生
;
朱刘
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朱刘
;
何坤鹏
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何坤鹏
;
张莉兰
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张莉兰
.
中国专利
:CN110156070B
,2019-08-23
[6]
一种立方氢氧化铟薄膜及其制备方法
[P].
于乃森
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于乃森
.
中国专利
:CN104108746A
,2014-10-22
[7]
氢氧化铟的制造方法
[P].
新藤裕一朗
论文数:
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新藤裕一朗
;
竹本幸一
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竹本幸一
;
古仲充之
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古仲充之
.
中国专利
:CN105839130B
,2016-08-10
[8]
一种氢氧化铟的洗涤工艺
[P].
张莉兰
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张莉兰
;
徐蒙
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徐蒙
;
钟小华
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钟小华
;
高建成
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高建成
;
凤吾生
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凤吾生
.
中国专利
:CN115321585A
,2022-11-11
[9]
氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的制造方法
[P].
新藤裕一朗
论文数:
0
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新藤裕一朗
;
竹本幸一
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竹本幸一
;
古仲充之
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古仲充之
.
中国专利
:CN103857830A
,2014-06-11
[10]
一种氢氧化铟/氧化铟中空微球的制备方法
[P].
沈明
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沈明
;
邵美玲
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邵美玲
;
周慧
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周慧
;
陈吴侠
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陈吴侠
.
中国专利
:CN105948102A
,2016-09-21
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