一种电池级氢氧化铟及其制备方法与应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110557611.6
申请日
2021-05-21
公开(公告)号
CN113277548A
公开(公告)日
2021-08-20
发明(设计)人
张波 王权 朱刘 童培云 何坤鹏
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市新站区龙子湖路与通淮南路交口西北角
IPC主分类号
C01G1500
IPC分类号
H01M1024
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
颜希文;朱燕华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种电池级氢氧化铟和氧化铟的制备方法 [P]. 
刘一宁 ;
刘朗明 ;
窦传龙 ;
林文军 ;
王全 ;
廖贻鹏 .
中国专利 :CN102092781A ,2011-06-15
[2]
一种纳米级氢氧化铟及其制备方法 [P]. 
王权 ;
朱刘 ;
邵学亮 ;
曾嘉豪 ;
李永鹏 .
中国专利 :CN112645380A ,2021-04-13
[3]
一种氢氧化铟粉体及其制备方法和应用 [P]. 
王权 ;
朱刘 ;
邵学亮 ;
曾嘉豪 ;
李永鹏 .
中国专利 :CN112723407B ,2021-04-30
[4]
氢氧化铟的制备方法 [P]. 
钟小华 ;
童培云 ;
朱刘 .
中国专利 :CN108793229A ,2018-11-13
[5]
一种纳米级氢氧化铟的制备方法 [P]. 
凤吾生 ;
朱刘 ;
何坤鹏 ;
张莉兰 .
中国专利 :CN110156070B ,2019-08-23
[6]
一种立方氢氧化铟薄膜及其制备方法 [P]. 
于乃森 .
中国专利 :CN104108746A ,2014-10-22
[7]
氢氧化铟的制造方法 [P]. 
新藤裕一朗 ;
竹本幸一 ;
古仲充之 .
中国专利 :CN105839130B ,2016-08-10
[8]
一种氢氧化铟的洗涤工艺 [P]. 
张莉兰 ;
徐蒙 ;
钟小华 ;
高建成 ;
凤吾生 .
中国专利 :CN115321585A ,2022-11-11
[9]
氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的制造方法 [P]. 
新藤裕一朗 ;
竹本幸一 ;
古仲充之 .
中国专利 :CN103857830A ,2014-06-11
[10]
一种氢氧化铟/氧化铟中空微球的制备方法 [P]. 
沈明 ;
邵美玲 ;
周慧 ;
陈吴侠 .
中国专利 :CN105948102A ,2016-09-21