掺杂氧化钨纳米材料及其制备方法和无机空穴传输材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910763111.0

申请日：

2019-08-19

公开(公告)号：

CN112397617B

公开(公告)日：

2021-02-23

发明(设计)人：

何斯纳吴龙佳吴劲衡

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3326 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

张杨梅

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-08	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2022-02-18	授权	授权
2021-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20190819
2021-02-23	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化钨一维纳米材料及其制备方法 [P].

魏明灯 ;

罗海燕 ;

魏可镁 .

中国专利 :CN101417818A ,2009-04-29

[2]

空穴传输材料及其制备方法和应用 [P].

吴劲衡 ;

吴龙佳 ;

何斯纳 .

中国专利 :CN109980088B ,2019-07-05

[3]

空穴传输材料及其制备方法和应用 [P].

吴龙佳 .

中国专利 :CN109994607A ,2019-07-09

[4]

一种可逆光致变色氧化钨纳米材料及其制备方法 [P].

李曼 ;

管小敏 .

中国专利 :CN106479479B ,2017-03-08

[5]

三氧化钨纳米材料的制备方法 [P].

张洪文 ;

蔡伟平 ;

贾丽超 .

中国专利 :CN102211789A ,2011-10-12

[6]

表面改性氧化钨纳米材料的制备方法及其产品和应用 [P].

何丹农 ;

尹桂林 ;

葛美英 ;

卢静 .

中国专利 :CN109534404A ,2019-03-29

[7]

形貌可控的片状氧化钨纳米材料及其制备方法和应用 [P].

熊友辉 ;

张勇强 ;

杨宇 .

中国专利 :CN119038606A ,2024-11-29

[8]

氧化钨量子点材料及其制备方法 [P].

刘爱林 ;

彭花萍 ;

陈伟 ;

林新华 ;

刘盼 ;

邓娅妮 .

中国专利 :CN104861971A ,2015-08-26

[9]

形貌尺寸可调的单分散铟掺杂氧化钨纳米材料及制备方法 [P].

王立坤 ;

郝潇悦 ;

刘涌 ;

韩高荣 ;

马赛男 ;

邸庆银 ;

彭健 .

中国专利 :CN119409233A ,2025-02-11

[10]

一种双金属改性氧化钨复合纳米材料及其制备方法和应用 [P].

朱丽萍 ;

张力元 ;

丁玉莹 ;

蒋杰 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN119976968A ,2025-05-13

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