多栅极横向溢出积分电容器传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011405223.8

申请日：

2020-12-03

公开(公告)号：

CN112995548A

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

崔雲马渕圭司

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H04N5378

IPC分类号：

H04N5374 H04N53745 H01L27146

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘媛媛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	公开	公开
2022-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H04N 5/378 申请日:20201203

共 50 条

[1]

具有横向溢流积分电容器复位稳定的图像传感器像素 [P].

崔雲 .

美国专利 :CN117293149B ,2025-07-29

[2]

横向溢出积分电容器(LOFIC)读出图像传感器的自动归零技术 [P].

高哲 ;

代铁军 .

中国专利 :CN114500890A ,2022-05-13

[3]

驻极体电容器类型复合传感器 [P].

泽田龙宏 .

中国专利 :CN101379373A ,2009-03-04

[4]

用于图像传感器的光敏电容器像素 [P].

杨武璋 ;

刘家颖 ;

熊志伟 ;

艾群咏 ;

戴森·H·戴 ;

多米尼克·马塞提 .

中国专利 :CN105990385B ,2016-10-05

[5]

包括具有内部电容器的像素的图像传感器 [P].

郑絃溶 ;

金石山 ;

徐珉雄 ;

秋明来 .

中国专利 :CN115514905A ,2022-12-23

[6]

电容传感器（横向） [P].

徐国仪 ;

谭志诚 ;

黄丹 ;

李朗基 .

中国专利 :CN309178687S ,2025-03-18

[7]

像素化电容器传感器电荷共享读出系统 [P].

阿方斯·利特耶斯 ;

阿斯温·巴特 ;

埃里克·奥列曼 ;

弗朗西斯科斯·皮特鲁斯·韦德索文 .

:CN120186492A ,2025-06-20

[8]

电容器结构及压力传感器 [P].

刘旭强 ;

张琳琳 ;

林立男 ;

韩雪飞 ;

廖兴才 ;

曹文静 ;

姜浩延 ;

陶硕 ;

高乐 .

中国专利 :CN114334452B ,2024-09-13

[9]

电容器结构及压力传感器 [P].

刘旭强 ;

张琳琳 ;

林立男 ;

韩雪飞 ;

廖兴才 ;

曹文静 ;

姜浩延 ;

陶硕 ;

高乐 .

中国专利 :CN114334452A ,2022-04-12

[10]

使用增压电容器和负偏置电压的图像传感器 [P].

李景镐 ;

沈殷燮 ;

尹浈斌 ;

崔性洙 ;

藤田雅人 .

中国专利 :CN112310130A ,2021-02-02

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