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像素化电容器传感器电荷共享读出系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411832587.2
申请日
:
2024-12-12
公开(公告)号
:
CN120186492A
公开(公告)日
:
2025-06-20
发明(设计)人
:
阿方斯·利特耶斯
阿斯温·巴特
埃里克·奥列曼
弗朗西斯科斯·皮特鲁斯·韦德索文
申请人
:
恩智浦有限公司
申请人地址
:
荷兰
IPC主分类号
:
H04N25/76
IPC分类号
:
H04N25/78
H04N25/77
代理机构
:
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
:
纪雯;李敬文
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-06-20
公开
公开
共 50 条
[1]
用于图像传感器的光敏电容器像素
[P].
杨武璋
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杨武璋
;
刘家颖
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刘家颖
;
熊志伟
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熊志伟
;
艾群咏
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艾群咏
;
戴森·H·戴
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戴森·H·戴
;
多米尼克·马塞提
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多米尼克·马塞提
.
中国专利
:CN105990385B
,2016-10-05
[2]
具有共享像素读出电路系统的成像传感器
[P].
Z·徐
论文数:
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0
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0
Z·徐
.
中国专利
:CN108291969B
,2018-07-17
[3]
包括具有内部电容器的像素的图像传感器
[P].
郑絃溶
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郑絃溶
;
金石山
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金石山
;
徐珉雄
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徐珉雄
;
秋明来
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秋明来
.
中国专利
:CN115514905A
,2022-12-23
[4]
一种电容器及包括该电容器的电容式传感器
[P].
张俊德
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张俊德
.
中国专利
:CN203631322U
,2014-06-04
[5]
驻极体电容器类型复合传感器
[P].
泽田龙宏
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泽田龙宏
.
中国专利
:CN101379373A
,2009-03-04
[6]
用于电阻式传感器和电容式传感器的读出电路
[P].
R·加格尔
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R·加格尔
;
A·巴齐罗托
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A·巴齐罗托
;
C·巴法
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C·巴法
;
F·西西奥蒂
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F·西西奥蒂
.
中国专利
:CN109696186A
,2019-04-30
[7]
多栅极横向溢出积分电容器传感器
[P].
崔雲
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崔雲
;
马渕圭司
论文数:
0
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马渕圭司
.
中国专利
:CN112995548A
,2021-06-18
[8]
像素读出电路及图像传感器
[P].
徐新楠
论文数:
0
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徐新楠
.
中国专利
:CN109361883A
,2019-02-19
[9]
电容式传感器的读出电路
[P].
邹波
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邹波
;
刘孟良
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刘孟良
.
中国专利
:CN208207637U
,2018-12-07
[10]
电容式传感器的读出电路
[P].
邹波
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邹波
;
刘孟良
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刘孟良
.
中国专利
:CN110456853A
,2019-11-15
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