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磷化铟多晶水平合成装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201621447365.X
申请日
:
2016-12-27
公开(公告)号
:
CN206916255U
公开(公告)日
:
2018-01-23
发明(设计)人
:
赵有文
段满龙
申请人
:
申请人地址
:
519085 广东省珠海市高新区金鼎工业片区金瑞二路南侧A1栋厂房
IPC主分类号
:
C30B2940
IPC分类号
:
C30B2806
代理机构
:
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327
代理人
:
陈英俊;许向彤
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-01-23
授权
授权
共 50 条
[1]
磷化铟多晶水平合成装置及压力平衡控制方法
[P].
杨翠柏
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杨翠柏
;
赵有文
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赵有文
;
段满龙
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段满龙
;
陈丙振
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陈丙振
;
刘彤
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刘彤
;
卢伟
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卢伟
;
杨俊
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杨俊
.
中国专利
:CN106757360A
,2017-05-31
[2]
一种磷化铟多晶合成装置
[P].
李勇
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李勇
;
曾志勇
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曾志勇
;
罗福敏
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罗福敏
.
中国专利
:CN214193522U
,2021-09-14
[3]
磷化铟多晶合成的压力控制装置及方法
[P].
白平平
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白平平
;
朱刘
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朱刘
.
中国专利
:CN107747125A
,2018-03-02
[4]
一种制备磷化铟多晶材料的水平合成炉
[P].
卢鹏荐
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卢鹏荐
;
张林
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张林
.
中国专利
:CN207294179U
,2018-05-01
[5]
一种磷化铟多晶合成设备
[P].
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机构:
朱雪峰
;
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机构:
何鹏飞
;
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机构:
黄国勇
;
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机构:
钱俊兵
;
论文数:
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机构:
王应武
.
中国专利
:CN220952196U
,2024-05-14
[6]
一种磷化铟多晶合成方法
[P].
乔印彬
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
乔印彬
;
范钦明
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
范钦明
;
陈政委
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
陈政委
;
赵德刚
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
赵德刚
;
张宇峰
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
张宇峰
.
中国专利
:CN117626437A
,2024-03-01
[7]
一种磷化铟多晶高压合成炉
[P].
袁韶阳
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
袁韶阳
;
冯佳峰
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
冯佳峰
;
于会永
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
于会永
;
赵中阳
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
赵中阳
;
赵春锋
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
赵春锋
;
张艳辉
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
张艳辉
.
中国专利
:CN222758370U
,2025-04-15
[8]
多管快速合成磷化铟多晶磷泡装置
[P].
骆新江
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骆新江
.
中国专利
:CN203112962U
,2013-08-07
[9]
一种磷化铟多晶无液封合成装置
[P].
王雪梅
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王雪梅
;
孟宪斌
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孟宪斌
.
中国专利
:CN104695013A
,2015-06-10
[10]
一种磷化铟多晶的制备方法和磷化铟多晶合成反应器
[P].
王金灵
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
王金灵
;
陈伟杰
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
陈伟杰
;
齐正阳
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
齐正阳
.
中国专利
:CN118814265A
,2024-10-22
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