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磷化铟多晶合成的压力控制装置及方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710854756.6
申请日
:
2017-09-20
公开(公告)号
:
CN107747125A
公开(公告)日
:
2018-03-02
发明(设计)人
:
白平平
朱刘
申请人
:
申请人地址
:
511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9B
IPC主分类号
:
C30B2814
IPC分类号
:
C30B2940
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-03-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 28/14 申请日:20170920
2018-03-02
公开
公开
2021-04-30
发明专利申请公布后的驳回
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 28/14 申请公布日:20180302
共 50 条
[1]
磷化铟多晶水平合成装置及压力平衡控制方法
[P].
杨翠柏
论文数:
0
引用数:
0
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杨翠柏
;
赵有文
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0
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赵有文
;
段满龙
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0
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0
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段满龙
;
陈丙振
论文数:
0
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0
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陈丙振
;
刘彤
论文数:
0
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刘彤
;
卢伟
论文数:
0
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0
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卢伟
;
杨俊
论文数:
0
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0
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0
杨俊
.
中国专利
:CN106757360A
,2017-05-31
[2]
磷化铟多晶水平合成装置
[P].
赵有文
论文数:
0
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0
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赵有文
;
段满龙
论文数:
0
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0
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0
段满龙
.
中国专利
:CN206916255U
,2018-01-23
[3]
一种磷化铟多晶生产的压力控制装置及方法
[P].
黄小华
论文数:
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黄小华
;
陈龙
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陈龙
;
陈瑜
论文数:
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陈瑜
;
郭锐
论文数:
0
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0
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郭锐
.
中国专利
:CN114808120A
,2022-07-29
[4]
一种磷化铟多晶合成的系统及方法
[P].
袁韶阳
论文数:
0
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
袁韶阳
;
郑红军
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
郑红军
;
刘砚滨
论文数:
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
刘砚滨
;
赵中阳
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
赵中阳
;
赵春锋
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0
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0
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
赵春锋
;
于会永
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
于会永
;
冯佳峰
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0
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0
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
冯佳峰
.
中国专利
:CN118756334B
,2025-05-13
[5]
一种磷化铟多晶合成的系统及方法
[P].
郑红军
论文数:
0
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
郑红军
;
刘砚滨
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0
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
刘砚滨
;
赵中阳
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0
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
赵中阳
;
赵春锋
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0
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
赵春锋
;
于会永
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
于会永
;
冯佳峰
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
冯佳峰
;
袁韶阳
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0
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机构:
大庆溢泰半导体材料有限公司
大庆溢泰半导体材料有限公司
袁韶阳
.
中国专利
:CN118756334A
,2024-10-11
[6]
一种磷化铟多晶材料合成用自动控制装置
[P].
黄小华
论文数:
0
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0
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0
机构:
陕西铟杰半导体有限公司
陕西铟杰半导体有限公司
黄小华
;
陈龙
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机构:
陕西铟杰半导体有限公司
陕西铟杰半导体有限公司
陈龙
;
刘志勇
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机构:
陕西铟杰半导体有限公司
陕西铟杰半导体有限公司
刘志勇
.
中国专利
:CN223150694U
,2025-07-25
[7]
一种磷化铟多晶合成方法
[P].
乔印彬
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
乔印彬
;
范钦明
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
范钦明
;
陈政委
论文数:
0
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
陈政委
;
赵德刚
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
赵德刚
;
张宇峰
论文数:
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0
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机构:
北京铭镓半导体有限公司
北京铭镓半导体有限公司
张宇峰
.
中国专利
:CN117626437A
,2024-03-01
[8]
一种磷化铟多晶合成的方法
[P].
林朋
论文数:
0
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机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
林朋
;
杨鹏
论文数:
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机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
杨鹏
;
付莉杰
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机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
付莉杰
;
孙聂枫
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机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
孙聂枫
;
史艳磊
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机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
史艳磊
;
王书杰
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机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
王书杰
;
秦敬凯
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0
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0
机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
秦敬凯
.
中国专利
:CN115896946B
,2025-08-29
[9]
一种磷化铟多晶的制备方法和磷化铟多晶合成反应器
[P].
王金灵
论文数:
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
王金灵
;
陈伟杰
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机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
陈伟杰
;
齐正阳
论文数:
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0
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0
机构:
广东先导微电子科技有限公司
广东先导微电子科技有限公司
齐正阳
.
中国专利
:CN118814265A
,2024-10-22
[10]
一种磷化铟多晶合成装置
[P].
李勇
论文数:
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0
李勇
;
曾志勇
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0
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0
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0
曾志勇
;
罗福敏
论文数:
0
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0
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0
罗福敏
.
中国专利
:CN214193522U
,2021-09-14
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