磁随机访问存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310118330.2

申请日：

2003-11-21

公开(公告)号：

CN100350499C

公开(公告)日：

2004-06-09

发明(设计)人：

与田博明浅尾吉昭上田知正宫本順一岸达也天野实梶山健相川尚德

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G11C1115

IPC分类号：

H01L4308 H01L2900

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-08-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-06-09	公开	公开
2007-11-21	授权	授权
2014-01-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101563322198 IPC(主分类):G11C 11/15 专利号:ZL2003101183302 申请日:20031121 授权公告日:20071121 终止日期:20121121

共 50 条

[1]

沙漏随机访问存储器 [P].

凯文·布罗斯 .

中国专利 :CN100379026C ,2005-07-13

[2]

磁性随机访问存储器 [P].

梶山健 .

中国专利 :CN1242411C ,2003-06-04

[3]

随机访问存储器单元结构、随机访问存储器及其操作方法 [P].

潘立阳 ;

刘雪梅 ;

伍冬 .

中国专利 :CN103956182A ,2014-07-30

[4]

向多态磁随机访问存储器单元进行写入的方法 [P].

布雷德利·N·恩格尔 ;

埃里奇·J·萨尔特 ;

约恩·M·斯劳特 .

中国专利 :CN1842873A ,2006-10-04

[5]

用于低周期存储器访问和附加功能的宽边随机访问存储器 [P].

T·A·莱勒 ;

W·C·华莱士 ;

D·A·莱德 ;

P·G·萨拉卡科蒂拉维杜 .

中国专利 :CN111382091A ,2020-07-07

[6]

静态随机访问存储器及其控制方法 [P].

沃尔堪·库尔散 ;

朱虹 ;

焦海龙 .

中国专利 :CN102467961A ,2012-05-23

[7]

固体多态分子随机访问存储器（RAM） [P].

米高·E·V·D·布姆 ;

格雷汉姆·D·鲁伊特 .

中国专利 :CN105336365A ,2016-02-17

[8]

固体多态分子随机访问存储器（RAM） [P].

米高·E·V·D·布姆 ;

格雷汉姆·D·鲁伊特 .

中国专利 :CN103003885A ,2013-03-27

[9]

磁性随机访问存储器及其制造方法 [P].

湛兴龙 .

中国专利 :CN105336756A ,2016-02-17

[10]

内容可寻址磁性随机访问存储器 [P].

彼得·K·纳吉 .

中国专利 :CN1524271A ,2004-08-25

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