向多态磁随机访问存储器单元进行写入的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480024513.0

申请日：

2004-08-03

公开(公告)号：

CN1842873A

公开(公告)日：

2006-10-04

发明(设计)人：

布雷德利·N·恩格尔埃里奇·J·萨尔特约恩·M·斯劳特

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

G11C1100

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

黄启行;穆德骏

法律状态：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-10	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:飞思卡尔半导体公司变更后权利人:爱沃斯宾技术公司变更事项:地址变更前权利人:美国得克萨斯变更后权利人:美国亚利桑那州登记生效日:20090508
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-10-04	公开	公开
2010-09-22	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101005966971 IPC(主分类):G11C 11/00 专利申请号:2004800245130 放弃生效日:20061004

共 50 条

[1]

磁随机访问存储器 [P].

与田博明 ;

浅尾吉昭 ;

上田知正 ;

宫本順一 ;

岸达也 ;

天野实 ;

梶山健 ;

相川尚德 .

中国专利 :CN100350499C ,2004-06-09

[2]

随机访问存储器单元结构、随机访问存储器及其操作方法 [P].

潘立阳 ;

刘雪梅 ;

伍冬 .

中国专利 :CN103956182A ,2014-07-30

[3]

固体多态分子随机访问存储器（RAM） [P].

米高·E·V·D·布姆 ;

格雷汉姆·D·鲁伊特 .

中国专利 :CN105336365A ,2016-02-17

[4]

固体多态分子随机访问存储器（RAM） [P].

米高·E·V·D·布姆 ;

格雷汉姆·D·鲁伊特 .

中国专利 :CN103003885A ,2013-03-27

[5]

一种静态随机访问存储器的存储单元 [P].

余国义 ;

邹雪城 ;

雷鑑铭 ;

刘冬生 ;

陈晓飞 ;

余凯 ;

龙爽 ;

陈云武 ;

王伟旭 ;

陈越 ;

陈龙 .

中国专利 :CN100576349C ,2008-12-03

[6]

沙漏随机访问存储器 [P].

凯文·布罗斯 .

中国专利 :CN100379026C ,2005-07-13

[7]

磁性随机访问存储器 [P].

梶山健 .

中国专利 :CN1242411C ,2003-06-04

[8]

磁随机存取存储器及其写入方法 [P].

岩田佳久 ;

中島健太郎 ;

徐向京 ;

史达洋 .

中国专利 :CN1308960C ,2004-03-17

[9]

基于电阻加固的静态随机访问存储器的存储单元 [P].

王静秋 ;

刘丽 ;

陈亮 .

中国专利 :CN104851451B ,2015-08-19

[10]

基于阻容加固的静态随机访问存储器的存储单元 [P].

王静秋 ;

陈亮 ;

刘丽 .

中国专利 :CN104851450A ,2015-08-19

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