脉冲激光沉积制备硅基锐钛矿相TiO2薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710053649.X

申请日：

2007-10-19

公开(公告)号：

CN101139702B

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

龙华陆培祥杨光戴能利李玉华杨振宇

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号

IPC主分类号：

C23C1424

IPC分类号：

C23C1408 C23C1454

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

曹葆青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-12	公开	公开
2011-12-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101157720458 IPC(主分类):C23C 14/24 专利号:ZL200710053649X 申请日:20071019 授权公告日:20100630 终止日期:20101019
2010-06-30	授权	授权

共 50 条

[1]

脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO2薄膜的方法 [P].

杨光 ;

陆培祥 ;

龙华 ;

戴能利 ;

李玉华 ;

杨振宇 .

中国专利 :CN101139701A ,2008-03-12

[2]

脉冲激光沉积MoS2薄膜的方法 [P].

何鹏 ;

张墅野 ;

王先杰 ;

林铁松 ;

张彦鑫 .

中国专利 :CN109267016A ,2019-01-25

[3]

脉冲激光沉积制备纳米硅的方法 [P].

王磊 ;

杜军 ;

屠海令 ;

朱世伟 .

中国专利 :CN101684545A ,2010-03-31

[4]

一种锐钛矿相纳米TiO2的制备方法 [P].

昝菱 ;

钟家柽 ;

罗其荣 ;

龚楚清 .

中国专利 :CN1147431C ,2002-10-09

[5]

一种钛基底制备锐钛矿相TiO2纳米管薄膜的方法 [P].

孙艳 ;

孔清泉 ;

杨姗姗 ;

赵倩茹 ;

杨勇 .

中国专利 :CN112442688A ,2021-03-05

[6]

一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法 [P].

李楠 ;

陈波 ;

李培源 ;

夏洋 ;

卢维尔 .

中国专利 :CN112853278B ,2021-05-28

[7]

强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统 [P].

戴建明 ;

方军 ;

张科军 ;

吴文彬 ;

孙玉平 .

中国专利 :CN102877032A ,2013-01-16

[8]

一种蓝色锐钛矿相TiO2纳米晶体及其制备方法 [P].

吴进明 ;

刑欢 ;

叶伟 ;

戴立勇 ;

马金保 ;

章洪涛 ;

王旭 .

中国专利 :CN110526289A ,2019-12-03

[9]

一种锐钛矿相TiO2纳米空心球的制备方法 [P].

伍媛婷 ;

江红涛 ;

王秀峰 .

中国专利 :CN103803645B ,2014-05-21

[10]

一种制备锐钛矿型纳米TiO2的方法 [P].

殷恒波 ;

姜廷顺 ;

姜本鹏 ;

谢吉民 ;

姚恒平 ;

奉辉 .

中国专利 :CN1636880A ,2005-07-13

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