脉冲激光沉积制备硅基金红石相TiO2薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710053648.5

申请日：

2007-10-19

公开(公告)号：

CN101139701A

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

杨光陆培祥龙华戴能利李玉华杨振宇

申请人：

申请人地址：

430074湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号

IPC主分类号：

C23C1424

IPC分类号：

C23C1408 C23C1454

代理机构：

华中科技大学专利中心

代理人：

曹葆青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-06-30	授权	授权
2011-12-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101157723815 IPC(主分类):C23C 14/24 专利号:ZL2007100536485 申请日:20071019 授权公告日:20100630 终止日期:20101019
2008-03-12	公开	公开

共 50 条

[1]

脉冲激光沉积制备硅基锐钛矿相TiO2薄膜的方法 [P].

龙华 ;

陆培祥 ;

杨光 ;

戴能利 ;

李玉华 ;

杨振宇 .

中国专利 :CN101139702B ,2008-03-12

[2]

脉冲激光沉积MoS2薄膜的方法 [P].

何鹏 ;

张墅野 ;

王先杰 ;

林铁松 ;

张彦鑫 .

中国专利 :CN109267016A ,2019-01-25

[3]

脉冲激光沉积制备纳米硅的方法 [P].

王磊 ;

杜军 ;

屠海令 ;

朱世伟 .

中国专利 :CN101684545A ,2010-03-31

[4]

金红石相TiO2纳米棒组装体的制备方法及产品 [P].

尹思敏 ;

端木佳杰 ;

袁永锋 ;

郭绍义 ;

竺志超 ;

杨金林 .

中国专利 :CN107892326A ,2018-04-10

[5]

由偏钛酸制备金红石型纳米TiO2的方法 [P].

殷恒波 ;

蒋银花 ;

姜廷顺 ;

谢吉民 ;

姚恒平 ;

奉辉 ;

杨晋安 .

中国专利 :CN100369818C ,2005-11-23

[6]

一种室温下制备金红石型TiO2薄膜的方法 [P].

邵红红 ;

于春杭 ;

许晓静 .

中国专利 :CN101994094B ,2011-03-30

[7]

一种金红石型纳米TiO2的制备方法 [P].

董明辉 .

中国专利 :CN104512925A ,2015-04-15

[8]

一种双掺杂金红石相TiO2纳米棒的制备方法 [P].

张建平 ;

张川 ;

张千 ;

张潇 .

中国专利 :CN107649161B ,2018-02-02

[9]

多孔金红石TiO2介晶及其制备方法和应用 [P].

魏明灯 ;

洪振生 .

中国专利 :CN102336435A ,2012-02-01

[10]

一种阵列状金红石型TiO2的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109019678A ,2018-12-18

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