一种硅片边缘抛光工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711290241.4

申请日：

2017-12-07

公开(公告)号：

CN109894962A

公开(公告)日：

2019-06-18

发明(设计)人：

路一辰王新李俊峰潘紫龙王玥李耀东曲翔史训达

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

C11D704 C11D718

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

刘秀青

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):B24B 29/02 登记生效日:20210629 变更事项:专利权人变更前权利人:有研半导体硅材料股份公司变更后权利人:山东有研半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更后权利人:253012 山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号（中元科技创新创业园）A座921室
2021-07-09	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):B24B 29/02 变更事项:专利权人变更前:有研半导体材料有限公司变更后:有研半导体硅材料股份公司变更事项:地址变更前:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更后:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2019-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 29/02 申请日:20171207
2020-04-17	授权	授权
2019-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种降低硅片边缘抛光碎片率的工艺 [P].

陈良臻 ;

江笠 ;

王彦君 ;

孙晨光 .

中国专利 :CN112635302A ,2021-04-09

[2]

一种8英寸超薄硅片的边缘抛光工艺 [P].

王浩铭 ;

常建凯 ;

田原 ;

武永超 ;

龚一夫 ;

史延爽 ;

张旭 .

中国专利 :CN117594421A ,2024-02-23

[3]

一种硅片边缘抛光装置 [P].

王新 ;

路一辰 ;

李俊峰 ;

潘紫龙 ;

韩晨华 ;

刘斌 ;

李耀东 .

中国专利 :CN106670938A ,2017-05-17

[4]

降本增效的硅片边缘抛光工艺 [P].

王鸣 .

中国专利 :CN113084598B ,2021-07-09

[5]

一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺 [P].

路一辰 ;

库黎明 ;

王玥 ;

陈海滨 ;

陈信 ;

刘云霞 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN114300339A ,2022-04-08

[6]

一种硅片边缘抛光装置 [P].

李炜 ;

王看看 .

中国专利 :CN217344994U ,2022-09-02

[7]

一种硅片边缘抛光装置 [P].

聂阳 .

中国专利 :CN216542412U ,2022-05-17

[8]

一种硅片边缘抛光装置 [P].

黄世果 ;

杨佐东 .

中国专利 :CN114147613A ,2022-03-08

[9]

一种改善硅片边缘抛光质量的方法 [P].

宋同景 ;

路一辰 ;

赵新新 ;

钟耕杭 ;

李磊 ;

张清洋 ;

肖清华 ;

闫志瑞 .

中国专利 :CN118866655A ,2024-10-29

[10]

一种硅片边缘抛光系统 [P].

范镜 ;

吴赣陶 ;

钟念龙 .

中国专利 :CN120696902B ,2025-11-07

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