碲化镉晶体生长装置及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011448699.X

申请日：

2020-12-09

公开(公告)号：

CN112680781A

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

狄聚青朱刘胡智向苏湛曾令康

申请人：

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2948

代理机构：

北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387

代理人：

张向琨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20201209
2021-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

碲锌镉晶体生长装置以及生长方法 [P].

狄聚青 ;

李康 ;

苏湛 .

中国专利 :CN120575338A ,2025-09-02

[2]

碲锌镉晶体生长方法以及装置 [P].

严冰 ;

刘伟华 ;

张传杰 ;

余志杰 ;

王博博 .

中国专利 :CN112647133A ,2021-04-13

[3]

碲化镉晶体的生长方法 [P].

狄聚青 ;

李康 ;

苏湛 .

中国专利 :CN114059170A ,2022-02-18

[4]

碲化镉晶体的生长方法 [P].

狄聚青 ;

李康 ;

苏湛 .

中国专利 :CN114032609A ,2022-02-11

[5]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

赵青松 ;

牛晓东 ;

顾小英 ;

胡智向 .

中国专利 :CN112725890A ,2021-04-30

[6]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382B ,2025-11-14

[7]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN112746315A ,2021-05-04

[8]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382A ,2024-12-13

[9]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

堀冈佑吉 .

中国专利 :CN102187018A ,2011-09-14

[10]

晶体生长装置和晶体生长方法 [P].

彭程 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN113652751B ,2021-11-16

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