低介电常数微波介电陶瓷In6MgTi5O20及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410601150.8

申请日：

2014-11-01

公开(公告)号：

CN104446439B

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

方维双唐莹苏和平

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607348656 IPC(主分类):C04B 35/462 专利申请号:2014106011508 申请日:20141101
2015-03-25	公开	公开
2016-06-29	授权	授权
2020-12-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/462 登记生效日:20201130 变更事项:专利权人变更前权利人:桂林理工大学变更后权利人:临泉县非凡广告传媒有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号变更后权利人:236424 安徽省阜阳市临泉县好迪家居材料市场G栋一层2号

共 50 条

[1]

一种低介电常数微波介电陶瓷MgTi3V4O17及其制备方法 [P].

方维双 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104311016B ,2015-01-28

[2]

超低介电常数微波介电陶瓷InAlMg6O9及其制备方法 [P].

蒋雪雯 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104478412B ,2015-04-01

[3]

超低介电常数微波介电陶瓷InAlZn5O8及其制备方法 [P].

蒋雪雯 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104355611B ,2015-02-18

[4]

一种低介电常数微波介电陶瓷BaIn2ZnO5及其制备方法 [P].

罗昊 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104310968B ,2015-01-28

[5]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷MgBiVO5 [P].

方亮 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105565802A ,2016-05-11

[6]

一种含氟低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

巩美露 ;

苏聪学 ;

徐军古 .

中国专利 :CN104446476A ,2015-03-25

[7]

低介电常数微波介电陶瓷LiAlSi2O6及其制备方法 [P].

方亮 ;

邓婧 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103130496B ,2013-06-05

[8]

超低介电常数微波介电陶瓷InAlMg7O10及其制备方法 [P].

方维双 ;

唐莹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104446381A ,2015-03-25

[9]

超低介电常数微波介电陶瓷InLaZn4O7及其制备方法 [P].

蒋雪雯 ;

李纯纯 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104387053A ,2015-03-04

[10]

超低介电常数微波介电陶瓷LaAlMg8O11及其制备方法 [P].

方维双 ;

唐莹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104402410A ,2015-03-11

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