一种高热电性能元素半导体热电材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610379040.0

申请日：

2016-05-31

公开(公告)号：

CN106058032A

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

裴艳中李文林思琪

申请人：

申请人地址：

200092 上海市杨浦区四平路1239号

IPC主分类号：

H01L3516

IPC分类号：

H01L3534 C01B1904

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人：

林君如

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	公开	公开
2019-05-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 35/16 申请公布日:20161026
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688763351 IPC(主分类):H01L 35/16 专利申请号:2016103790400 申请日:20160531

共 50 条

[1]

一种高性能银碲化合物热电半导体材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

张馨月 .

中国专利 :CN108346736A ,2018-07-31

[2]

一种高性能热电材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

王晓 .

中国专利 :CN108396217A ,2018-08-14

[3]

一种合金热电半导体材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

李娟 .

中国专利 :CN107799646A ,2018-03-13

[4]

一种高性能PbTe基固溶体热电材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

吴怡萱 .

中国专利 :CN108516526B ,2018-09-11

[5]

一种SnTe基高性能热电材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

唐婧 .

中国专利 :CN108447972B ,2018-08-24

[6]

一种高性能掺铕PbTe基热电材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

吴怡萱 .

中国专利 :CN108417704B ,2018-08-17

[7]

一种提高BiTeSe基N型半导体热电材料性能的方法 [P].

祖方遒 ;

朱彬 ;

吴展 ;

张文进 ;

王小宇 ;

余愿 .

中国专利 :CN105702847B ,2016-06-22

[8]

化合物半导体热电材料及其制造方法 [P].

权五贞 ;

崔铉祐 ;

林炳圭 ;

郑明珍 ;

朴哲熙 .

中国专利 :CN107408618A ,2017-11-28

[9]

掺锑高性能GeTe-PbTe固溶体热电材料及其制备方法 [P].

裴艳中 ;

李文 ;

李娟 .

中国专利 :CN108735887B ,2018-11-02

[10]

半导体热电材料切割装置 [P].

刘伟阳 .

中国专利 :CN212421427U ,2021-01-29

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