化合物半导体热电材料及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680012741.9

申请日：

2016-07-21

公开(公告)号：

CN107408618A

公开(公告)日：

2017-11-28

发明(设计)人：

权五贞崔铉祐林炳圭郑明珍朴哲熙

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3516

IPC分类号：

H01L3518 H01L3534

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;梁笑

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 35/16 申请日:20160721
2017-11-28	公开	公开
2020-07-07	授权	授权

共 50 条

[1]

热电半导体材料及其制造方法 [P].

太田稔智 ;

吉泽广喜 ;

藤田浩一 ;

今井功 ;

东松刚 ;

西池氏裕 .

中国专利 :CN1816919B ,2006-08-09

[2]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

西森理人 ;

吉川俊英 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103367419B ,2013-10-23

[3]

化合物半导体及其制造方法 [P].

古村雄太 .

日本专利 :CN120475754A ,2025-08-12

[4]

化合物半导体及其制造方法 [P].

清水诚也 ;

佐佐木诚 ;

土田良彦 .

中国专利 :CN1788358A ,2006-06-14

[5]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

吉川俊英 .

中国专利 :CN103367426A ,2013-10-23

[6]

化合物半导体装置及其制造方法 [P].

美浓浦优一 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102668092A ,2012-09-12

[7]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 ;

山田敦史 .

中国专利 :CN101771075A ,2010-07-07

[8]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

牧山刚三 ;

冈本直哉 ;

多木俊裕 ;

美浓浦优一 ;

尾崎史朗 ;

宫岛丰生 .

中国专利 :CN103035703B ,2013-04-10

[9]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

朱雷 ;

冈本直哉 .

中国专利 :CN103681834A ,2014-03-26

[10]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

牧山刚三 .

中国专利 :CN103715243A ,2014-04-09

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