化合物半导体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480012774.0

申请日：

2004-05-28

公开(公告)号：

CN1788358A

公开(公告)日：

2006-06-14

发明(设计)人：

清水诚也佐佐木诚土田良彦

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱丹

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20040528 授权公告日:20100421 终止日期:20200528
2006-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-04-21	授权	授权
2006-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

化合物半导体及其制造方法 [P].

古村雄太 .

日本专利 :CN120475754A ,2025-08-12

[2]

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体及其制备方法 [P].

佐佐木诚 ;

高田朋幸 .

中国专利 :CN101027787A ,2007-08-29

[3]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

吉川俊英 .

中国专利 :CN103367426A ,2013-10-23

[4]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

西森理人 ;

吉川俊英 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103367419B ,2013-10-23

[5]

化合物半导体装置及其制造方法 [P].

美浓浦优一 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102668092A ,2012-09-12

[6]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 ;

山田敦史 .

中国专利 :CN101771075A ,2010-07-07

[7]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

牧山刚三 ;

冈本直哉 ;

多木俊裕 ;

美浓浦优一 ;

尾崎史朗 ;

宫岛丰生 .

中国专利 :CN103035703B ,2013-04-10

[8]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

朱雷 ;

冈本直哉 .

中国专利 :CN103681834A ,2014-03-26

[9]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

牧山刚三 .

中国专利 :CN103715243A ,2014-04-09

[10]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

朱雷 .

中国专利 :CN103515429A ,2014-01-15

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