化合物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310319658.4

申请日：

2013-07-26

公开(公告)号：

CN103715243A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

牧山刚三

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;全万志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	公开	公开
2020-04-14	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L 29/778 放弃生效日:20200414
2014-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582059163 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2013103196584 申请日:20130726

共 50 条

[1]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

朱雷 ;

冈本直哉 .

中国专利 :CN103681834A ,2014-03-26

[2]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

吉川俊英 .

中国专利 :CN103367424A ,2013-10-23

[3]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

西森理人 ;

渡边芳孝 .

中国专利 :CN103715251A ,2014-04-09

[4]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

牧山刚三 ;

冈本直哉 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN103545362B ,2014-01-29

[5]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN102386221A ,2012-03-21

[6]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

牧山刚三 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102544088A ,2012-07-04

[7]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 ;

山田敦史 .

中国专利 :CN102723362A ,2012-10-10

[8]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102651393A ,2012-08-29

[9]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

尾崎史朗 ;

中村哲一 ;

多木俊裕 ;

金村雅仁 .

中国专利 :CN102487079A ,2012-06-06

[10]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

多木俊裕 ;

冈本直哉 ;

美浓浦优一 ;

牧山刚三 ;

尾崎史朗 .

中国专利 :CN103035683B ,2013-04-10

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