化合物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310100368.0

申请日：

2013-03-26

公开(公告)号：

CN103367424A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

吉川俊英

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;董文国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542139962 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2013101003680 申请日:20130326
2016-02-17	授权	授权
2013-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

吉川俊英 .

中国专利 :CN103367426A ,2013-10-23

[2]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

西森理人 ;

渡边芳孝 .

中国专利 :CN103715251A ,2014-04-09

[3]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

牧山刚三 ;

冈本直哉 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN103545362B ,2014-01-29

[4]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN102386221A ,2012-03-21

[5]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

牧山刚三 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102544088A ,2012-07-04

[6]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 ;

山田敦史 .

中国专利 :CN102723362A ,2012-10-10

[7]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102651393A ,2012-08-29

[8]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

多木俊裕 ;

冈本直哉 ;

美浓浦优一 ;

牧山刚三 ;

尾崎史朗 .

中国专利 :CN103035683B ,2013-04-10

[9]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今田忠纮 .

中国专利 :CN102651388B ,2012-08-29

[10]

化合物半导体器件及其制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN103325823A ,2013-09-25

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