化合物半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310438756.X
申请日
2013-09-24
公开(公告)号
CN103715251A
公开(公告)日
2014-04-09
发明(设计)人
西森理人 渡边芳孝
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L2940 H01L21335
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
顾晋伟;全万志
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
吉川俊英 .
中国专利 :CN103367424A ,2013-10-23
[2]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
吉川俊英 .
中国专利 :CN103367426A ,2013-10-23
[3]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
朱雷 ;
冈本直哉 .
中国专利 :CN103681834A ,2014-03-26
[4]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
牧山刚三 .
中国专利 :CN103715243A ,2014-04-09
[5]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
牧山刚三 ;
冈本直哉 ;
吉川俊英 .
中国专利 :CN103545362B ,2014-01-29
[6]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
山田敦史 .
中国专利 :CN102386221A ,2012-03-21
[7]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
牧山刚三 ;
吉川俊英 .
中国专利 :CN102544088A ,2012-07-04
[8]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
今田忠纮 ;
山田敦史 .
中国专利 :CN102723362A ,2012-10-10
[9]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
今田忠纮 ;
吉川俊英 .
中国专利 :CN102651393A ,2012-08-29
[10]
化合物半导体器件及其制造方法 [P]. 
尾崎史朗 ;
中村哲一 ;
多木俊裕 ;
金村雅仁 .
中国专利 :CN102487079A ,2012-06-06