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抛光研磨处理中研磨量的模拟方法及抛光研磨装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201680003000.4
申请日
:
2016-01-18
公开(公告)号
:
CN107107309A
公开(公告)日
:
2017-08-29
发明(设计)人
:
山口都章
小畠严贵
水野稔夫
申请人
:
申请人地址
:
日本国东京都大田区羽田旭町11番1号
IPC主分类号
:
B24B3734
IPC分类号
:
B24B3710
H01L21304
代理机构
:
上海华诚知识产权代理有限公司 31300
代理人
:
肖华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-01-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/34 申请日:20160118
2020-09-18
授权
授权
2017-08-29
公开
公开
共 50 条
[1]
一种抛光研磨转台及抛光研磨装置
[P].
张磊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
苏州芯轮半导体科技有限公司
苏州芯轮半导体科技有限公司
张磊
;
温鹏飞
论文数:
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机构:
苏州芯轮半导体科技有限公司
苏州芯轮半导体科技有限公司
温鹏飞
.
中国专利
:CN119304774A
,2025-01-14
[2]
一种抛光研磨转台及抛光研磨装置
[P].
张磊
论文数:
0
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0
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0
机构:
苏州芯轮半导体科技有限公司
苏州芯轮半导体科技有限公司
张磊
;
温鹏飞
论文数:
0
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0
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0
机构:
苏州芯轮半导体科技有限公司
苏州芯轮半导体科技有限公司
温鹏飞
.
中国专利
:CN119304774B
,2025-08-29
[3]
抛光研磨装置及抛光研磨机台
[P].
杨瑞
论文数:
0
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杨瑞
;
曹健州
论文数:
0
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曹健州
;
王伟风
论文数:
0
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王伟风
;
叶朝凤
论文数:
0
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叶朝凤
;
司彦龙
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0
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司彦龙
.
中国专利
:CN214603739U
,2021-11-05
[4]
研磨抛光方法
[P].
刘象强
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刘象强
;
卢聪林
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卢聪林
;
刘荣其
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刘荣其
;
魏仲立
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魏仲立
;
曾建春
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曾建春
.
中国专利
:CN100491070C
,2007-07-11
[5]
抛光研磨装置
[P].
徐峥
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机构:
杭州众硅电子科技有限公司
杭州众硅电子科技有限公司
徐峥
;
郑东州
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机构:
杭州众硅电子科技有限公司
杭州众硅电子科技有限公司
郑东州
.
中国专利
:CN308953000S
,2024-11-19
[6]
研磨装置及处理方法,抛光处理装置及方法
[P].
山口都章
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山口都章
;
水野稔夫
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水野稔夫
;
小畠严贵
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小畠严贵
;
宫崎充
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宫崎充
;
丰村直树
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丰村直树
;
井上拓也
论文数:
0
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井上拓也
.
中国专利
:CN105479324A
,2016-04-13
[7]
抛光研磨装置
[P].
徐枭宇
论文数:
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机构:
杭州众硅电子科技有限公司
杭州众硅电子科技有限公司
徐枭宇
;
徐峥
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机构:
杭州众硅电子科技有限公司
杭州众硅电子科技有限公司
徐峥
.
中国专利
:CN309281824S
,2025-05-09
[8]
固定研磨粒抛光装置及抛光方法
[P].
刘金营
论文数:
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0
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刘金营
.
中国专利
:CN113579990B
,2021-11-02
[9]
抛光方法及研磨液
[P].
和田雄高
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和田雄高
;
赤朝彦
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赤朝彦
;
佐佐木达也
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佐佐木达也
;
萩原敏也
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萩原敏也
.
中国专利
:CN1533595A
,2004-09-29
[10]
抛光垫及研磨装置
[P].
高林
论文数:
0
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高林
.
中国专利
:CN113084696B
,2021-07-09
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