半导体装置制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980070334.7

申请日：

2019-10-18

公开(公告)号：

CN112912993A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

辻直子

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L2102 H01L25065 H01L2507 H01L2518

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

杨薇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20191018
2021-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

日本专利 :CN112912993B ,2024-06-11

[2]

半导体装置的制造方法 [P].

辻直子 .

中国专利 :CN112204738A ,2021-01-08

[3]

半导体装置的制造方法 [P].

辻直子 .

日本专利 :CN112204738B ,2024-12-24

[4]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

日本专利 :CN112913015B ,2024-01-16

[5]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

中国专利 :CN112913016A ,2021-06-04

[6]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

中国专利 :CN112913015A ,2021-06-04

[7]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

日本专利 :CN112913016B ,2024-02-13

[8]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

志摩真也 ;

高桥健司 .

中国专利 :CN105990207B ,2016-10-05

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

小谷贵浩 ;

前田将克 .

中国专利 :CN103415923B ,2013-11-27

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

作元祥太朗 .

中国专利 :CN113539977A ,2021-10-22

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