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半导体装置的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980036187.1
申请日：
2019-05-27
公开(公告)号：
CN112204738A
公开(公告)日：
2021-01-08
发明(设计)人：
辻直子
申请人：
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H01L25065
IPC分类号：
H01L2518 H01L213205 H01L21768 H01L23522 H01L2507
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
沈雪
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-04-09 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/065 申请日:20190527
2021-01-08 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体装置的制造方法 [P]. 
辻直子 .
日本专利 :CN112204738B ,2024-12-24
[2]
半导体装置的制造方法和半导体装置 [P]. 
西井润弥 .
中国专利 :CN107419237A ,2017-12-01
[3]
制造半导体装置的方法 [P]. 
丸山隆弘 ;
山本芳树 ;
齐藤俊哉 .
日本专利 :CN109994489B ,2024-09-03
[4]
制造半导体装置的方法 [P]. 
丸山隆弘 ;
山本芳树 ;
齐藤俊哉 .
中国专利 :CN109994489A ,2019-07-09
[5]
半导体装置的制造方法 [P]. 
田原贤治 .
中国专利 :CN1992200A ,2007-07-04
[6]
半导体装置的制造方法 [P]. 
田原贤治 .
中国专利 :CN101179048A ,2008-05-14
[7]
半导体装置的制造方法 [P]. 
奥田真也 .
中国专利 :CN109545695A ,2019-03-29
[8]
半导体装置的制造方法 [P]. 
田原贤治 .
中国专利 :CN1523656A ,2004-08-25
[9]
半导体装置的制造方法和半导体装置 [P]. 
荒川伸一 .
中国专利 :CN101051621A ,2007-10-10
[10]
半导体器件的制造方法 [P]. 
平岩篤 ;
酒井哲 ;
石川大 ;
池田良广 .
中国专利 :CN1501455A ,2004-06-02
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