半导体装置的制造方法和半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710091615.X

申请日：

2007-04-03

公开(公告)号：

CN101051621A

公开(公告)日：

2007-10-10

发明(设计)人：

荒川伸一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2131 H01L213105 H01L23522 H01L23532

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-10	公开	公开
2007-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-01-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

西井润弥 .

中国专利 :CN107419237A ,2017-12-01

[2]

半导体装置和半导体装置制造方法 [P].

久米一平 ;

川原润 ;

古武直也 ;

齐藤忍 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102237272B ,2011-11-09

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

山口正臣 .

中国专利 :CN100352017C ,2005-10-05

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

岩谷将伸 ;

木下明将 ;

原田信介 ;

田中保宣 .

中国专利 :CN108028282A ,2018-05-11

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

江间泰示 ;

水谷和宏 .

中国专利 :CN101479843B ,2009-07-08

[6]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

吉原晋二 ;

浅海一志 ;

北村康宏 ;

大原淳士 .

中国专利 :CN102222622A ,2011-10-19

[7]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

矶部敦生 ;

山崎舜平 ;

小久保千穗 ;

田中幸一郎 ;

下村明久 ;

荒尾达也 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101110437B ,2008-01-23

[8]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

安松拓人 .

中国专利 :CN101346810A ,2009-01-14

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

有金刚 ;

久本大 .

中国专利 :CN106486488A ,2017-03-08

[10]

半导体装置的制造方法和半导体装置 [P].

三原竜善 .

中国专利 :CN108231561A ,2018-06-29

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