低电感半桥功率模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880021655.3

申请日：

2018-03-27

公开(公告)号：

CN110506384A

公开(公告)日：

2019-11-26

发明(设计)人：

A·佩斯

申请人：

申请人地址：

意大利维琴察

IPC主分类号：

H02M700

IPC分类号：

H01L2364 H02M1088 H02M100

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

亓云;陈斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-26	公开	公开
2020-03-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 7/00 申请日:20180327
2022-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半桥功率模块及功率模块 [P].

兰祥 ;

毛森 ;

靳永明 ;

刘卫星 .

中国专利 :CN222190719U ,2024-12-17

[2]

一种低寄生电感的半桥功率模块DBC布局结构 [P].

宁平凡 ;

刘婕 ;

牛萍娟 .

中国专利 :CN214705921U ,2021-11-12

[3]

一种低寄生电感的半桥功率模块DBC布局结构 [P].

宁平凡 ;

刘婕 ;

牛萍娟 .

中国专利 :CN115117036A ,2022-09-27

[4]

半桥功率模块（DPIM） [P].

王友强 ;

吴培杰 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN309652102S ,2025-12-05

[5]

IGBT半桥功率模块 [P].

贺东晓 ;

姚天保 ;

王晓宝 ;

麻长胜 .

中国专利 :CN202406000U ,2012-08-29

[6]

IGBT半桥功率模块 [P].

贺东晓 ;

姚天保 ;

王晓宝 ;

麻长胜 .

中国专利 :CN102510204A ,2012-06-20

[7]

低电感功率模块 [P].

檀春健 ;

付嵩琦 ;

王少刚 ;

叶怀宇 ;

鲁纲 .

中国专利 :CN222233633U ,2024-12-24

[8]

低电感功率模块 [P].

A·克罗斯特曼 ;

P·琼斯 .

中国专利 :CN103123919A ,2013-05-29

[9]

具有低电感的半导体半桥模块 [P].

威廉·格朗特 ;

黑尼·利恩 ;

杰克·马尔钦科夫斯基 ;

韦利米尔·内迪克 .

中国专利 :CN101263547A ,2008-09-10

[10]

功率半导体模块及半桥功率模块 [P].

胡豹 ;

钱弈晨 ;

张林 .

中国专利 :CN221614839U ,2024-08-27

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