一种范德华异质结WS2/h-BN及其自组装制备方法

被引：0

申请号：

CN202210378430.1

申请日：

2022-04-12

公开(公告)号：

CN114736728A

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

方运祺孙阳沈杭燕刘薇程芳郭冰董学杭王馨悦曾文

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号

IPC主分类号：

C10M16904

IPC分类号：

代理机构：

北京盛询知识产权代理有限公司 11901

代理人：

李艳芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	公开	公开
2022-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C10M 169/04 申请日:20220412

共 50 条

[1]

一种MoS2/WS2垂直异质结的制备方法 [P].

曹阳 ;

宋维英 .

中国专利 :CN111349907B ,2020-06-30

[2]

一种WS2/Si异质结太阳能电池制备方法 [P].

曾祥斌 ;

王文照 ;

陈晓晓 ;

丁佳 ;

李寒剑 ;

徐素娥 ;

郭富城 .

中国专利 :CN105870253B ,2016-08-17

[3]

一种自组装千层状WS2纳米结构的制备方法 [P].

钱静雯 ;

熊曼 ;

王贤保 ;

梅涛 ;

李金华 ;

王建颖 .

中国专利 :CN110683581A ,2020-01-14

[4]

一种乐高式范德华异质结及其制备方法 [P].

胡少杰 ;

王苗欣 ;

高福朋 ;

苏旭晖 ;

王康 .

中国专利 :CN116040578B ,2025-05-09

[5]

一种合成c-BN专用的h-BN粉体及其制备方法 [P].

张振昊 ;

张振锋 ;

高鹏 ;

张玉军 ;

谭砂砾 ;

亓效刚 .

中国专利 :CN105967156B ,2016-09-28

[6]

一种范德华异质结器件及其制备方法和应用 [P].

何军 ;

尹蕾 ;

程瑞清 ;

王振兴 ;

王峰 .

中国专利 :CN109390388A ,2019-02-26

[7]

一种PVK-TMDCs范德华异质结及其制备方法 [P].

黄寒 ;

邵子依 ;

郭晓 ;

肖君婷 ;

游思雯 .

中国专利 :CN112909126A ,2021-06-04

[8]

一种波导集成的范德华异质结器件制备方法 [P].

李宁 ;

王嘉成 ;

贺婷 ;

胡伟达 .

中国专利 :CN118016768B ,2024-08-16

[9]

一种波导集成的范德华异质结器件制备方法 [P].

李宁 ;

王嘉成 ;

贺婷 ;

胡伟达 .

中国专利 :CN118016768A ,2024-05-10

[10]

一种WS2‑MoS2‑C复合负极材料及其制备方法 [P].

曾宏 ;

武英 ;

赵海花 ;

周少雄 .

中国专利 :CN104577063B ,2015-04-29

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