一种自组装千层状WS2纳米结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810747736.3

申请日：

2018-07-04

公开(公告)号：

CN110683581A

公开(公告)日：

2020-01-14

发明(设计)人：

钱静雯熊曼王贤保梅涛李金华王建颖

申请人：

申请人地址：

430063 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

IPC主分类号：

C01G4100

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

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法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 41/00 申请日:20180704
2022-03-25	授权	授权
2020-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法 [P].

申振广 ;

彭志坚 ;

钱静雯 ;

符秀丽 .

中国专利 :CN105019029A ,2015-11-04

[2]

高纯度高密度WS2层片状纳米结构的制备方法 [P].

钱静雯 ;

彭志坚 ;

符秀丽 .

中国专利 :CN103741224B ,2014-04-23

[3]

一种纤维状WS2纳米负极材料的制备方法 [P].

黄剑锋 ;

王鑫 ;

许占位 ;

李嘉胤 ;

曹丽云 ;

费杰 ;

孔新刚 ;

欧阳海波 ;

姚春燕 ;

郝巍 .

中国专利 :CN104993140A ,2015-10-21

[4]

一种范德华异质结WS2/h-BN及其自组装制备方法 [P].

方运祺 ;

孙阳 ;

沈杭燕 ;

刘薇 ;

程芳 ;

郭冰 ;

董学杭 ;

王馨悦 ;

曾文 .

中国专利 :CN114736728A ,2022-07-12

[5]

一种自组装VSe2纳米片的合成方法 [P].

曹丽云 ;

何丹阳 ;

冯亮亮 ;

黄剑锋 ;

吴建鹏 ;

杨丹 .

中国专利 :CN109279584A ,2019-01-29

[6]

一种WS2‑PVP纳米片及其制备方法和应用 [P].

王世革 ;

胡飞 ;

赵九龙 ;

黄明贤 ;

高云 ;

邹多武 .

中国专利 :CN106075439A ,2016-11-09

[7]

一种长程有序层状自组装纳米结构超晶格铜的制备方法 [P].

刘超 ;

贾建龙 ;

纪秀杰 ;

张兴华 ;

胡龙 ;

李兰兰 ;

唐成春 .

中国专利 :CN103028739A ,2013-04-10

[8]

一种自组装Ni3S2纳米片的合成方法 [P].

冯亮亮 ;

何丹阳 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 .

中国专利 :CN108423717B ,2018-08-21

[9]

一种大孔网状结构的WS2纳米材料制备方法 [P].

武文玲 ;

陈帅兵 ;

牛冬娟 ;

朱建锋 ;

秦毅 ;

王芬 .

中国专利 :CN108039289A ,2018-05-15

[10]

氮掺杂碳泡沫@WS2纳米片三维网络复合结构的制备方法 [P].

彭志坚 ;

李宏 ;

符秀丽 .

中国专利 :CN109926086B ,2019-06-25

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