高纯度高密度WS2层片状纳米结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410022704.9

申请日：

2014-01-17

公开(公告)号：

CN103741224B

公开(公告)日：

2014-04-23

发明(设计)人：

钱静雯彭志坚符秀丽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路29号

IPC主分类号：

C30B2946

IPC分类号：

C30B2964 C30B2500 B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/46 申请日:20140117 授权公告日:20160413 终止日期:20170117
2014-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582383398 IPC(主分类):C30B 29/46 专利申请号:2014100227049 申请日:20140117
2014-04-23	公开	公开
2016-04-13	授权	授权

共 50 条

[1]

高纯度、高产率制备WS2层片状纳米结构的方法 [P].

申振广 ;

彭志坚 ;

钱静雯 ;

符秀丽 .

中国专利 :CN105019029A ,2015-11-04

[2]

高纯度高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法 [P].

李汉青 ;

彭志坚 ;

钱静雯 ;

申振广 ;

符秀丽 .

中国专利 :CN105543972B ,2018-03-27

[3]

高纯度高密度WO3/S核壳结构纳米颗粒的制备方法 [P].

钱静雯 ;

彭志坚 ;

符秀丽 ;

王成彪 ;

付志强 ;

岳文 .

中国专利 :CN103469155B ,2013-12-25

[4]

高纯度高密度CuS网络状纳米结构的制备方法 [P].

彭志坚 ;

钱静雯 ;

申振广 ;

李汉青 ;

符秀丽 .

中国专利 :CN105585044A ,2016-05-18

[5]

高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法 [P].

彭志坚 ;

朱娜 ;

王成彪 ;

付志强 ;

于翔 ;

刘宝林 .

中国专利 :CN101550600B ,2009-10-07

[6]

一种自组装千层状WS2纳米结构的制备方法 [P].

钱静雯 ;

熊曼 ;

王贤保 ;

梅涛 ;

李金华 ;

王建颖 .

中国专利 :CN110683581A ,2020-01-14

[7]

高纯度枝状结晶FeWO4/FeS核壳纳米结构的制备方法 [P].

钱静雯 ;

彭志坚 ;

符秀丽 ;

王成彪 ;

付志强 ;

岳文 .

中国专利 :CN103498190A ,2014-01-08

[8]

高产量高密度氧化钨纳微米结构正阻抗湿敏材料的制备方法 [P].

彭志坚 ;

钱静雯 ;

符秀丽 .

中国专利 :CN104071847A ,2014-10-01

[9]

基于WS2层片状纳米阵列结构的高容量锂离子电池及其制备方法 [P].

彭志坚 ;

钱静雯 ;

申振广 ;

李汉青 ;

符秀丽 .

中国专利 :CN105742692A ,2016-07-06

[10]

高纯度短棒状结晶FeWO4/FeS核壳纳米结构的制备方法 [P].

钱静雯 ;

彭志坚 ;

符秀丽 ;

王成彪 ;

付志强 ;

岳文 .

中国专利 :CN103498191B ,2014-01-08

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