MOS晶体管体区的掺杂方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710177105.4

申请日：

2007-11-09

公开(公告)号：

CN100561692C

公开(公告)日：

2008-03-26

发明(设计)人：

张盛东廖聪维孙雷陈文新韩汝琦

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21266

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙）

代理人：

贾晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-26	公开	公开
2011-03-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101077706128 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2007101771054 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:北京大学登记生效日:20110215
2020-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20071109 授权公告日:20091118 终止日期:20191109
2009-11-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法 [P].

潘光燃 .

中国专利 :CN103117223B ,2013-05-22

[2]

一种部分耗尽的SOI MOS晶体管的制备方法 [P].

张盛东 ;

李定宇 ;

陈文新 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN100527371C ,2008-03-05

[3]

MOS晶体管源漏应力区的形成方法及MOS晶体管制作方法 [P].

梁擎擎 ;

朱慧珑 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102376575A ,2012-03-14

[4]

MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管 [P].

邵丽 .

中国专利 :CN102184869B ,2011-09-14

[5]

一种MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管 [P].

原小明 ;

高玉翠 .

中国专利 :CN118073401A ,2024-05-24

[6]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103377933B ,2013-10-30

[7]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103377935B ,2013-10-30

[8]

MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105529265A ,2016-04-27

[9]

晶体管的制造方法及晶体管 [P].

何德彦 ;

李镇全 ;

刘立尧 .

中国专利 :CN110504217A ,2019-11-26

[10]

MOS晶体管 [P].

G·M·格利瓦纳 .

中国专利 :CN207217541U ,2018-04-10

← 1 2 3 4 5 →