具有校准支持的存储器中的延迟回写

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880033858.4

申请日：

2018-04-19

公开(公告)号：

CN110678927A

公开(公告)日：

2020-01-10

发明(设计)人：

S·M·阿拉姆

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

G11C1622

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

张丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-10	公开	公开
2020-03-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/22 申请日:20180419

共 50 条

[1]

存储器中的延迟回写 [P].

T·安德烈 ;

S·M·阿拉姆 ;

C·苏博拉玛尼安 ;

J·S·巴尔卡图拉 .

中国专利 :CN109219850A ,2019-01-15

[2]

具有支持存储器操作的虚拟行的非易失性存储器 [P].

V·拉纳 .

中国专利 :CN109273036A ,2019-01-25

[3]

存储器装置中的回写操作 [P].

G·卡列洛 ;

F·罗里 .

中国专利 :CN110993006A ,2020-04-10

[4]

用于存储器设备中的写辅助的写激励器 [P].

C·郑 ;

N·德塞 ;

R·瓦蒂孔达 .

中国专利 :CN104981875B ,2015-10-14

[5]

支持非易失性存储器控制器中的混合读取 [P].

C·H·科伊尔巴克 ;

R·迈德森 ;

L·张 ;

R·拉马努詹 ;

M·卢克-博登 .

美国专利 :CN121122342A ,2025-12-12

[6]

具有改进的写余量的存储器单元 [P].

王奕 ;

M·M·黑勒亚 ;

F·哈姆扎奥卢 .

中国专利 :CN104321817A ,2015-01-28

[7]

具有增强速度的写辅助存储器 [P].

P·金 ;

M·H·阿布-拉玛 ;

F·阿迈德 .

中国专利 :CN105144295B ,2015-12-09

[8]

具有低有效延迟的高容量存储器电路 [P].

Y.C.金 ;

R.S.切尔尼科夫 ;

K.N.夸德 ;

R.D.诺曼 ;

颜天鸿 ;

S.萨拉胡丁 ;

E.哈拉里 .

中国专利 :CN115413367A ,2022-11-29

[9]

具有成簇的存储器单元的非易失性存储器器件 [P].

F·德桑蒂斯 ;

M·帕索蒂 ;

A·拉尔 .

中国专利 :CN103578545A ,2014-02-12

[10]

向非易失性存储器的写操作 [P].

阿里·格哈森·赛迪 ;

理查德·罗伊·格里森思怀特 .

中国专利 :CN106663057A ,2017-05-10

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