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InAs/InAsSb II类超晶格材料及其制备方法和红外波段探测器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011445045.1
申请日：
2020-12-08
公开(公告)号：
CN112563352B
公开(公告)日：
2021-03-26
发明(设计)人：
杜鹏
申请人：
申请人地址：
410000 湖南省长沙市雨花区振华路579号康庭园一期18号栋北侧一层、二层
IPC主分类号：
H01L310304
IPC分类号：
H01L310352 H01L31102 H01L3118
代理机构：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人：
王闯
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-08-19 授权 授权
2021-04-13 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20201208
2021-03-26 公开 公开
共 50 条
[1]
InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格及其制备方法和红外探测器 [P]. 
方铉 ;
郝誉 ;
王登魁 ;
王东博 ;
周陶杰 ;
房丹 ;
闫昊 ;
翟英娇 ;
楚学影 ;
李金华 .
中国专利 :CN117747714A ,2024-03-22
[2]
InAs-InGaAsSbⅡ类超晶格及其制备方法和红外探测器 [P]. 
方铉 ;
郝誉 ;
王登魁 ;
王东博 ;
周陶杰 ;
房丹 ;
闫昊 ;
翟英娇 ;
楚学影 ;
李金华 .
中国专利 :CN117747714B ,2024-08-16
[3]
破隙型II类超晶格及其制备方法和红外探测器 [P]. 
方铉 ;
郝誉 ;
王登魁 ;
杜鹏 ;
朱洪波 ;
王东博 ;
周陶杰 ;
王勇 ;
房丹 ;
李金华 ;
翟英娇 ;
王晓华 .
中国专利 :CN120264927A ,2025-07-04
[4]
一种基于InAs/InAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器 [P]. 
陈佰乐 ;
黄健 .
中国专利 :CN114242820A ,2022-03-25
[5]
一种基于InAs/InAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器 [P]. 
陈佰乐 ;
黄健 .
中国专利 :CN114242820B ,2024-08-30
[6]
嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器 [P]. 
杜鹏 .
中国专利 :CN111916511A ,2020-11-10
[7]
InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 [P]. 
黄建亮 ;
马文全 ;
张艳华 ;
曹玉莲 .
中国专利 :CN102569484A ,2012-07-11
[8]
一种InAs基InGaAs/InAsSb超晶格nBn型红外探测器材料 [P]. 
陈意桥 ;
于天 ;
周浩 .
中国专利 :CN115621340A ,2023-01-17
[9]
一种基于InAs/InAsSb II类超晶格材料的势垒型短中波双色红外探测器 [P]. 
谢莉莉 ;
谢圣文 ;
柴瑞青 ;
韩立镪 ;
姚瑶 ;
戴立群 ;
张旭 ;
潘卫军 ;
张芮萌 ;
陈瑞明 .
中国专利 :CN115692537A ,2023-02-03
[10]
钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 [P]. 
曹玉莲 ;
马文全 ;
张艳华 .
中国专利 :CN102569521A ,2012-07-11
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