增强型垂直HEMT器件结构

被引：0

申请号：

CN202210602586.3

申请日：

2022-05-30

公开(公告)号：

CN114914301A

公开(公告)日：

2022-08-16

发明(设计)人：

王辉

申请人：

申请人地址：

330052 江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

魏润洁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220530
2022-08-16	公开	公开

共 50 条

[1]

增强型垂直HEMT器件 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117810250B ,2024-06-11

[2]

增强型垂直HEMT器件 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117810250A ,2024-04-02

[3]

隧穿增强型垂直结构的HEMT器件 [P].

钟敏 .

中国专利 :CN113972266B ,2024-10-01

[4]

隧穿增强型垂直结构的HEMT器件 [P].

钟敏 .

中国专利 :CN113972268A ,2022-01-25

[5]

隧穿增强型垂直结构的HEMT器件 [P].

钟敏 .

中国专利 :CN113972266A ,2022-01-25

[6]

隧穿增强型垂直结构的HEMT器件 [P].

钟敏 .

中国专利 :CN113972268B ,2024-05-31

[7]

级联增强型HEMT器件 [P].

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 ;

邓旭光 .

中国专利 :CN106549050A ,2017-03-29

[8]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

[9]

p型栅增强型HEMT器件 [P].

张宝顺 ;

徐宁 ;

杜仲凯 .

中国专利 :CN208819832U ,2019-05-03

[10]

降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件 [P].

于国浩 ;

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106206695A ,2016-12-07

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