隧穿增强型垂直结构的HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010714612.2

申请日：

2020-07-23

公开(公告)号：

CN113972266B

公开(公告)日：

2024-10-01

发明(设计)人：

钟敏

申请人：

安徽长飞先进半导体有限公司

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803

IPC主分类号：

H01L29/417

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/47 H01L29/778

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107

代理人：

马荣

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更

国省代码：

安徽省芜湖市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H01L 29/417变更事项:专利权人变更前:安徽长飞先进半导体有限公司变更后:安徽长飞先进半导体股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:安徽省芜湖市高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803变更后:241000 安徽省芜湖市弋江区马塘街道利民东路82号
2024-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

隧穿增强型垂直结构的HEMT器件 [P].

钟敏 .

中国专利 :CN113972266A ,2022-01-25

[2]

隧穿增强型垂直结构的HEMT器件 [P].

钟敏 .

中国专利 :CN113972268B ,2024-05-31

[3]

隧穿增强型垂直结构的HEMT器件 [P].

钟敏 .

中国专利 :CN113972268A ,2022-01-25

[4]

增强型垂直HEMT器件 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117810250B ,2024-06-11

[5]

增强型垂直HEMT器件 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117810250A ,2024-04-02

[6]

增强型垂直HEMT器件结构 [P].

王辉 .

中国专利 :CN114914301A ,2022-08-16

[7]

一种隧穿增强型HEMT器件 [P].

罗小蓉 ;

熊佳云 ;

杨超 ;

魏杰 ;

吴俊峰 ;

彭富 ;

张波 .

中国专利 :CN105118859A ,2015-12-02

[8]

一种场致隧穿增强型HEMT器件 [P].

陈万军 ;

张竞 ;

尉中杰 ;

魏进 ;

张波 .

中国专利 :CN102881716A ,2013-01-16

[9]

级联增强型HEMT器件 [P].

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 ;

邓旭光 .

中国专利 :CN106549050A ,2017-03-29

[10]

增强型GaN HEMT器件 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN212257405U ,2020-12-29

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