半导体装置和制造半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510856402.6

申请日：

2011-01-12

公开(公告)号：

CN105405747A

公开(公告)日：

2016-03-16

发明(设计)人：

远藤佑太斎藤隆行山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2712 H01L2949 H01L29786

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

叶晓勇;付曼

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-16	公开	公开
2020-03-13	授权	授权
2016-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101655079726 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2015108564026 申请日:20110112

共 50 条

[1]

半导体装置和制造半导体装置的方法 [P].

远藤佑太 ;

斎藤隆行 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102725851B ,2012-10-10

[2]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

内田诚一 ;

冈田训明 .

中国专利 :CN108292685A ,2018-07-17

[3]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

伊东一笃 ;

金子诚二 ;

神崎庸辅 ;

齐藤贵翁 ;

中泽淳 .

中国专利 :CN108701719A ,2018-10-23

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

松木园广志 .

中国专利 :CN108780758A ,2018-11-09

[5]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

内山博幸 ;

藤崎寿美子 ;

森塚翼 .

中国专利 :CN107026208B ,2017-08-08

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

佐佐木俊成 ;

大原宏树 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN101901768B ,2010-12-01

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

佐佐木俊成 ;

大原宏树 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN104658915B ,2015-05-27

[8]

半导体装置及制造半导体装置的方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

细羽幸 ;

高桥辰也 .

中国专利 :CN101997007A ,2011-03-30

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

须泽英臣 ;

笹川慎也 ;

仓田求 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN103681805B ,2014-03-26

[10]

半导体装置及制造半导体装置的方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

细羽幸 ;

高桥辰也 .

中国专利 :CN104882473A ,2015-09-02

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