硫化镉半导体纳米粒子的界面化学制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710010810.5

申请日：

2007-04-02

公开(公告)号：

CN101045552A

公开(公告)日：

2007-10-03

发明(设计)人：

陈延明司春雷于大伟李继新孟德文

申请人：

申请人地址：

111003辽宁省辽阳市宏伟区光华街30号(沈阳工业大学石油化工学院)

IPC主分类号：

C01G1102

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

沈阳智龙专利事务所

代理人：

宋铁军

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回
2007-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-10-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硫化镉半导体纳米粒子的化学制备方法 [P].

陈延明 ;

聂晓波 ;

李继新 ;

王立岩 ;

李凤红 .

中国专利 :CN101948131A ,2011-01-19

[2]

一种氧化锌半导体纳米粒子的化学制备方法 [P].

陈延明 ;

高洁 ;

王立岩 ;

郭立颖 ;

王海玥 ;

张文帅 ;

郭又晟 .

中国专利 :CN114162850A ,2022-03-11

[3]

半导体纳米粒子的制造方法和半导体纳米粒子 [P].

高桥美枝 ;

福田一人 .

日本专利 :CN118382595A ,2024-07-23

[4]

一种硫化锌半导体纳米粒子的制备方法 [P].

陈延明 .

中国专利 :CN101531393A ,2009-09-16

[5]

银纳米微粒的化学制备方法 [P].

陈延明 ;

李凤红 ;

李继新 ;

马少君 ;

王立岩 .

中国专利 :CN1994633A ,2007-07-11

[6]

半导体纳米粒子和芯/壳型半导体纳米粒子 [P].

森山乔史 ;

本吉亮介 .

中国专利 :CN111556850A ,2020-08-18

[7]

半导体纳米粒子、半导体纳米粒子的制造方法以及发光体 [P].

鸟本司 ;

龟山达矢 ;

久保淳弥 ;

藤平纪一 .

日本专利 :CN118696008A ,2024-09-24

[8]

一种金纳米粒子水溶胶的化学制备方法 [P].

陈延明 ;

李凤红 ;

李继新 ;

王立岩 ;

马少君 .

中国专利 :CN102107283A ,2011-06-29

[9]

一种氧化铜纳米粒子的化学制备方法 [P].

王昕瑜 ;

陈延明 ;

王立岩 ;

郭立颖 ;

王海玥 ;

邵芹 .

中国专利 :CN115028187A ,2022-09-09

[10]

一种氧化铜纳米粒子的化学制备方法 [P].

王昕瑜 ;

陈延明 ;

王立岩 ;

郭立颖 ;

王海玥 ;

邵芹 .

中国专利 :CN115028187B ,2024-04-19

← 1 2 3 4 5 →