具有高阻断电压能力的功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210182147.8

申请日：

2012-06-04

公开(公告)号：

CN102810566B

公开(公告)日：

2012-12-05

发明(设计)人：

格哈德·施密特

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L2910

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-05	公开	公开
2013-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101388119394 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012101821478 申请日:20120604
2015-09-16	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件及其制造方法 [P].

格哈德·施密特 .

中国专利 :CN104282685A ,2015-01-14

[2]

高阻断电压的压接型半导体器件 [P].

吴锦鹏 ;

刘佳鹏 ;

杨晨 ;

黄琦欢 ;

曾嵘 ;

陈政宇 ;

余占清 ;

赵彪 .

中国专利 :CN117374012A ,2024-01-09

[3]

具有低夹断电压的半导体器件 [P].

傅达平 ;

连延杰 .

中国专利 :CN114784116A ,2022-07-22

[4]

具有高击穿电压的半导体器件 [P].

江本孝朗 ;

盐见武夫 .

中国专利 :CN85106895B ,1987-03-11

[5]

高阻断能力的功率半导体结构、制备方法以及功率器件 [P].

苑广安 ;

魏晓光 ;

李立 ;

纪瑞朗 ;

张语 ;

李宋伟 ;

高明超 ;

王耀华 .

中国专利 :CN118538758A ,2024-08-23

[6]

反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法 [P].

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN111816695A ,2020-10-23

[7]

反向阻断功率半导体器件和处理反向阻断功率半导体器件的方法 [P].

F.D.普菲尔施 .

德国专利 :CN111816695B ,2025-05-16

[8]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

E.格里布尔 ;

A.莫泽尔 ;

M.普法芬莱纳 ;

F.沃尔特 .

中国专利 :CN107978639A ,2018-05-01

[9]

功率半导体器件的高电压终止结构 [P].

V.尤内维奥纳克 ;

P.C.布兰特 ;

F.希莱 ;

A.卢施泰克-佩赫洛夫 ;

F.D.普菲尔施 .

中国专利 :CN109638075A ,2019-04-16

[10]

SiC上的高电压功率半导体器件 [P].

M·罗伯达 ;

G·钟 .

中国专利 :CN104246979A ,2014-12-24

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